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一种半导体封装体，包含：一封装基板，包含多数个焊料球垫形成于该封装基板的一不平坦表面上，该些焊料球垫具有不同尺寸；以及对应于该些焊料球垫的多数个焊料球体，各该焊料球体连结至对应的各该焊料球垫上，且各该焊料球体系卵形或圆形，其中该些焊料球体具有不同高度，且各该些具有不同高度之焊料球体的顶点大体上系一共平面。如申请专利范围第1项所述之半导体封装体，其中该些焊料球垫包含具有不同面积的焊料球垫，且较高之该些焊料球体系形成于一第一面积之大体上圆形的该些焊料球垫上，而较低之该些焊料球体系形成于一第二面积之大体上圆形的该些焊料球垫上，其中该第二面积大于该第一面积。如申请专利范围第2项所述之半导体封装体，其中该些具有该第二面积之该些焊料球垫的一第二直径系大于具有该第一面积之该些焊料球垫的一第一直径约10~20%之间。如申请专利范围第1项所述之半导体封装体，其中各该焊料球体具有大体上相同的焊料数量。如申请专利范围第4项所述之半导体封装体，其中该些焊料球垫包含具有不同面积的焊料球垫，且较高之该些焊料球体系形成于一第一面积之大体上圆形的该些焊料球垫上，而较低之该些焊料球体系形成于一第二面积之大体上圆形的该些焊料球垫上，其中该第二面积大于该第一面积。如申请专利范围第1项所述之半导体封装体，其中该些焊料球体包含具有二或多个不同高度的焊料球体。如申请专利范围第1项所述之半导体封装体，其中该些焊料球体形成于以直角之排及行所构成的一阵列中，且设置于中央之该些焊料球体的高度系大于设置于周围之该些焊料球体。如申请专利范围第1项所述之半导体封装体，其中该些焊料球体形成于以直角之排及行所构成的一阵列中，且设置于周围之该些焊料球体的高度系大于设置于中央之该些焊料球体。如申请专利范围第1项所述之半导体封装体，其中该焊料球体包含无铅焊材。如申请专利范围第1项所述之半导体封装体，其中该些焊料球体系排列于具有一间距介于0.4~1.27mm之间的一阵列之中，且至少一该焊料球体的直径介于0.2~0.8mm之间。如申请专利范围第1项所述之半导体封装体，其中该不平坦表面包括形成相对较低之该些焊料球体的相对较高之高度的区域，以及形成相对较高之该些焊料球体的相对较低之高度的区域。一种半导体封装体的制作方法，该半导体封装体具有一封装基板，且多数个焊料球体形成于该封装基板上，其中该些焊料球体的顶点大体上系一共平面，该半导体封装体的制作方法包括：提供具有一不平坦接合表面之一封装基板的该半导体封装体；测量该不平坦接合表面的表面形态；形成多数个焊料球垫于该不平坦接合面上，且该些焊料球垫具有不同尺寸，其中在较高之高度的一高焊料球垫的直径大于在较低之高度之一低焊料球垫的直径；以及以植焊料球或沈积的方式，形成对应的多数个焊料球体于该些焊料球垫上，且藉由配置一大体上相同数量的焊料于每一该焊料球垫上，使得形成于该较高之高度的该高焊料球垫上之第一该些焊料球体的高度系小于形成于该低焊料球垫上之第二该些焊料球体的高度。如申请专利范围第12项所述之半导体封装体的制作方法，其中形成该些焊料球体的步骤中，在植焊料球或沈积之后，更包含一回火步骤。如申请专利范围第13项所述之半导体封装体的制作方法，其中该回火步骤制作该些焊料球体成为圆形或卵形。如申请专利范围第12项所述之半导体封装体的制作方法，其中形成该些焊料球垫，更包括形成一中间焊料球垫，其直径系大于该低焊料球垫的直径，且小于该高焊料球垫的直径。如申请专利范围第12项所述之半导体封装体的制作方法，其中形成该些焊料球体的步骤，会产生具有大体上共平面顶点的该些焊料球体。如申请专利范围第12项所述之半导体封装体的制作方法，其中各该焊料球垫系圆形。如申请专利范围第17项所述之半导体封装体的制作方法，其中圆形的各该焊料球垫具有一最初的圆周，且在该不平坦接合面，各该焊料球体的周围系与各该焊料球垫之最初的圆周相符。 |
