| 主权项 |
一种自我混波接收机，系用以接收电波讯号及输出数位讯号，该接收机的电路架构包括：一高输入阻抗电压放大器，该放大器之输入端为该自我混波接收机之输入端，该高输入阻抗电压放大器由一电阻、一电容及一电晶体所构成，用以接收及放大讯号，其中该电晶体闸极系为该放大器之输入端，该电晶体之源极系为该放大器之接地端，而该电晶体之汲极系分别连结该电阻及该电容；一多级放大器，该多级放大器系串接于该高输入阻抗电压放大器之输出端，该多级放大器由一电阻及复数个电晶体所构成，用以放大讯号，其中该电晶体之闸极系互相连接于该多级放大器之输入端，该电晶体之汲极系互相连接，并连接一电阻至该电晶体之闸极，而该电晶体之源极系分别为该放大器之接地端及电源端；一混波器，该混波器系串接于该多级放大器之输出端，该混波器系用以降低频率到直流频率，包括：复数个差动放大器，系由复数个电晶体构成；复数个电阻；及复数个电容，其中该混波器系藉由一电晶体之闸极作为该混波器之输入端，该电晶体之汲极为一正输出端，该电晶体之闸极为一负输出端；一数位输出转换器，该数位输出转换器系串接于该混波器之输出端，其更包括一低通滤波器、一电压比较器及一数位反向器。如申请专利范围第1项所述之自我混波接收机，其中该电波讯号为振幅移键调变(ASK)电波讯号或振幅调变(AM)电波讯号。如申请专利范围第1项所述之自我混波接收机，其中该高输入阻抗电压放大器及该多级放大器之电路架构为共源极放大器、串叠(cascode)放大器、共闸极放大器或互补式金氧半导体(CMOS)放大器。如申请专利范围第1项所述之自我混波接收机，其中该混波器之电路架构为吉伯特(gilbert)混波器或次谐波混波器。如申请专利范围第1项所述之自我混波接收机，其中该低通滤波器之电路架构由一电阻及一电容所构成。如申请专利范围第1项所述之自我混波接收机，其中该电压比较器之电路架构由运算放大器、差动放大器或转导放大器所构成。如申请专利范围第1项所述之自我混波接收机，其中该数位反向器之电路架构为数位逻辑闸。如申请专利范围第1项所述之自我混波接收机，其中该多级放大器之复数个电晶体系包括一P型金氧电晶体(PMOS)及一N型金氧电晶体(NMOS)。如申请专利范围第1或5项所述之自我混波接收机，其中该电容系为MIN电容、PN Junction电容或MOS电容。如申请专利范围第1或5项所述之自我混波接收机，其中该电阻可为多晶矽电阻或为N-型井电阻。如申请专利范围第1项所述之自我混波接收机，其中该混波器更包括六组差动放大器，各差动放大器之电晶体的汲极和一电阻相接至电压源，该电晶体的源极连结接地端，而一组差动放大器的输入端皆连接该负输出端，另一组差动放大器的输入端皆连接该正输出端，又二组差动放大器的一输入端和该正输出端相接，另一输入端和该负输出端相接；再二组差动放大器的输入端和前述四组差动放大器之汲极端相连，且该二组差动放大器的汲极端为混波器的输出端。一种利用自我混波接收机之接收方法，系用以接收电波讯号及输出数位讯号，包括下列步骤：(a)放大电波讯号，利用一高输入阻抗电压放大器及一多级放大器放大电波讯号；(b)降低频率，系利用一混波器以降低电波讯号的频率；(c)解调并输出数位讯号，系藉由一数位输出转换器以解调放大后之电波讯号并将该讯号转换成数位讯号；其中该高输入阻抗电压放大器及多级放大器之电路架构可为共源极放大器、串叠(cascode)放大器、共闸极放大器或互补式金氧半导体(CMOS)放大器；该混波器之电路架构可为吉伯特(gilbert)混波器或次谐波混波器。如申请专利范围第12项所述之方法，其中该数位输出转换器包括一低通滤波器、一电压比较器与一数位反向器。如申请专利范围第12项所述之方法，其中该电波讯号可为振幅移键调变(ASK)电波讯号或振幅调变(AM)电波讯号。如申请专利范围第12项所述之方法，其中该数位输出转换器之电路架构系由复数个差动电压放大器、复数个电阻及复数个电容所构成，用以解调放大后之电波讯号并将该讯号转换成数位讯号。如申请专利范围第12项所述之方法，其中该方法所利用之标准半导体制程为CMOS制程、Si-Bipolar制程、MESFET制程、pHEMT制程或HBT制程。如申请专利范围第13项所述之方法，其中该电压比较器之电路架构系为运算放大器、差动放大器或转导放大器所构成。如申请专利范围第13项所述之方法，其中该数位反向器之电路架构系为数位逻辑闸所组成。 |
