| 主权项 |
一种画素结构的制造方法，包括：提供一基板，该基板上已形成有一遮光层，且该遮光层上覆盖有一平坦层；在该平坦层上依序形成一半导体层与一第一金属层；图案化该第一金属层与该半导体层，而定义出一源极、一汲极、一通道层、一资料线与一第一焊垫，其中该通道层连结该源极与该汲极，该资料线连结该源极与该第一焊垫；在该基板上依序形成一闸介电层、一第二金属层与一保护层；图案化该保护层、该第二金属层与该闸介电层，而定义出一闸极、一扫描线与一第二焊垫，且暴露出部分该汲极，其中该闸极与该通道层重叠，且该扫描线连结该闸极与该第二焊垫；对该闸极进行过蚀刻，以使所形成的该闸极与该扫描线的宽度小于该闸极与该扫描线上方的图案化的该保护层的宽度，且在该闸介电层、该闸极以及该扫描线与图案化的该保护层之间形成一侧向凹口，暴露出该闸极与该扫描线的侧壁；在该基板上形成一透明导电层；以及图案化该透明导电层，以定义出一画素电极，其中该画素电极与暴露出的该汲极电性连接。如申请专利范围第1项所述之画素结构的制造方法，其中：图案化该第一金属层与该半导体层步骤中，更包括定义出一下电极，而该下电极位于预定形成该扫描线的位置；图案化该保护层、该第二金属层与该闸介电层步骤中，更包括保留位于该下电极上方之该闸介电层、该第二金属层与该保护层，其中，该闸介电层是作为一电容介电层、保留的该第二金属层即为该扫描线且作为一上电极，并且该下电极的侧边是暴露出来；以及图案化该透明导电层步骤中所定义出之该画素电极在该下电极的侧边与该下电极电性连接。如申请专利范围第1项所述之画素结构的制造方法，其中：图案化该第一金属层与该半导体层步骤中，更包括定义出一下电极，而该下电极位于预定形成该画素电极的位置；图案化该保护层、该第二金属层与该闸介电层步骤中，更包括保留位于该下电极上方之该闸介电层、该第二金属层与该保护层，其中，该闸介电层是作为一电容介电层，保留的该第二金属层为一共用线且作为一上电极，并且该下电极的侧边是暴露出来；以及图案化该透明导电层步骤中所定义出之该画素电极在该下电极的侧边与该下电极电性连接。如申请专利范围第1项所述之画素结构的制造方法，该半导体层包括一通道材质层与一欧姆接触材质层，该欧姆接触材质层位于该通道材质层与该第一金属层之间。如申请专利范围第1项所述之画素结构的制造方法，其中，图案化该第一金属层与该半导体层步骤包括：利用一第一半调式光罩于该第一金属层上形成一第一图案化光阻层；以及以该第一图案化光阻层为罩幕，在定义出该源极、该汲极、该通道层、该资料线与该第一焊垫的同时，移除位于该源极与该汲极之间的该第一金属层。如申请专利范围第1项所述之画素结构的制造方法，其中图案化该保护层、该第二金属层与该闸介电层步骤包括：利用一第二半调式光罩在该保护层上形成一第二图案化光阻层；以及以该第二图案化光阻层为罩幕，在定义出该闸极、该扫描线、与该第二焊垫的同时，移除位于该第一焊垫与该第二焊垫上方的该保护层。如申请专利范围第1项所述之画素结构的制造方法，其中：图案化该透明导电层步骤中，更包括保留位于该第一焊垫与该第二焊垫上方之该透明导电层。如申请专利范围第1项所述之画素结构的制造方法，其中在该基板上形成该遮光层之方法包括：在该基板上形成一黑矩阵；以及在该黑矩阵内形成多数个彩色滤光图案。如申请专利范围第8项所述之画素结构的制造方法，其中该些彩色滤光图案包括多数个红色滤光图案、多数个绿色滤光图案以及多数个蓝色滤光图案。一种画素结构，包括：一遮光层，配置在一基板上；一平坦层，覆盖在该遮光层上；一薄膜电晶体，配置在该平坦层上，该薄膜电晶体是由一通道层、部分覆盖于该通道层上之一源极与一汲极、配置于该源极与该汲极上之一闸介电层、以及配置于该闸介电层上之一闸极所构成；一图案化保护层，覆盖该薄膜电晶体，并使部分该汲极暴露出来，其中该闸极的宽度小于位在该闸极上方的该图案化保护层的宽度，且在该闸介电层、该闸极与该图案化保护层之间形成一侧向凹口，暴露出该闸极的侧壁；一画素电极，配置于该平坦层上，且该画素电极覆盖该源极与该汲极，并与暴露出的该汲极电性连接；以及一储存电容器，配置于该平坦层上，且该储存电容器是由一下电极、一上电极以及一电容介电层所构成，其中，该下电极位于预定形成一扫描线的位置，且该下电极的侧边是暴露出来，该上电极即为该扫描线，该电容介电层位于该下电极与该扫描线之间，且该画素电极在该下电极的侧边与该下电极电性连接。如申请专利范围第10项所述之画素结构，更包括一欧姆接触材质层，其配置于该源极/汲极与该通道层之间。如申请专利范围第10项所述之画素结构，更包括一第一焊垫以及一第二焊垫，配置在该基板之二边缘处。如申请专利范围第12项所述之画素结构，更包括一透明导电层，位于该第一焊垫与该第二焊垫上方。如申请专利范围第10项所述之画素结构，其中该遮光层包括一黑矩阵以及配置于该黑矩阵内的多数个彩色滤光图案。如申请专利范围第14项所述之画素结构，其中该些彩色滤光图案包括多数个红色滤光图案、多数个绿色滤光图案以及多数个蓝色滤光图案。一种画素结构，包括：一遮光层，配置在一基板上；一平坦层，覆盖在该遮光层上；一薄膜电晶体，配置在该平坦层上，该薄膜电晶体是由一通道层、部分覆盖于该通道层上之一源极与一汲极、配置于该源极与该汲极上之一闸介电层、以及配置于该闸介电层上之一闸极所构成；一图案化保护层，覆盖该薄膜电晶体，并使部分该汲极暴露出来，其中该闸极的宽度小于位在该闸极上方的该图案化保护层的宽度，且在该闸介电层、该闸极与该图案化保护层之间形成一侧向凹口，暴露出该闸极的侧壁；一画素电极，配置于该平坦层上，且该画素电极覆盖该源极与该汲极，并与暴露出的该汲极电性连接；以及一储存电容器，配置于该平坦层上，且该储存电容器是由一下电极、一上电极以及一电容介电层所构成，其中，该下电极位于预定形成该画素电极的位置，且该下电极的侧边是暴露出来，该上电极即为一共用线，该电容介电层位于该下电极与该共用线之间，且该画素电极在该下电极的侧边与该下电极电性连接。如申请专利范围第16项所述之画素结构，更包括一欧姆接触材质层，其配置于该源极/汲极与该通道层之间。如申请专利范围第16项所述之画素结构，其中，该闸极与该共用线的宽度小于该图案化保护层的宽度。如申请专利范围第16项所述之画素结构，更包括一第一焊垫以及一第二焊垫，配置在该基板之二边缘处。如申请专利范围第19项所述之画素结构，更包括一透明导电层，位于该第一焊垫与该第二焊垫上方。如申请专利范围第16项所述之画素结构，其中该遮光层包括一黑矩阵以及配置于该黑矩阵内的多数个彩色滤光图案。如申请专利范围第21项所述之画素结构，其中该些彩色滤光图案包括多数个红色滤光图案、多数个绿色滤光图案以及多数个蓝色滤光图案。 |
