发明名称 电声感知装置
摘要
申请公布号 TWI348872 申请公布日期 2011.09.11
申请号 TW096138854 申请日期 2007.10.17
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 颜凯翔;陈振颐;宋柏勋
分类号 H04R19/00 主分类号 H04R19/00
代理机构 代理人 祁明辉 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2;林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2
主权项 一种电声感知装置,包括:一感知晶片,用以进行电声转换(electro-acoustic transducing),并藉以输出一电性讯号,该感知晶片包括:至少一第一接点;一第一腔体,该第一腔体之一上方开口系连通该电声感知装置之外部;一振动膜,位于该感知晶片之底部,且遮盖该第一腔体之一下方开口;一背板,平行设置于该振动膜下方,并且与该振动膜相隔一间距;及一积体电路,设置于该感知晶片内,用以接收该背板输出之讯号;一基板晶片,设置于该感知晶片下方,该基板晶片具有至少一第二接点、至少一电性通道及至少一通道接点,该第二接点电性接触于该第一接点,该第二接点及该通道接点位于该基板晶片不同之表面,该电性通道系贯穿该基板晶片,用以电性连通该第二接点及该通道接点;以及一密封元件,设置于该感知晶片及该基板晶片之间,用以气密对接(air-tight coupling)该感知晶片及该基板晶片;其中,该电性讯号经由该第一接点、该第二接点及该电性通道传递至该通道接点。如申请专利范围第1项所述之电声感知装置,其中,该振动膜及该背板系形成一电容结构。如申请专利范围第2项所述之电声感知装置,其中该基板晶片具有一第二腔体,该第二腔体对应位于该第一腔体下方,该振动膜及该背板位于该两腔体之间。如申请专利范围第3项所述之电声感知装置,其中该感知晶片更具有一贯通孔,用以连通该第二腔体及该电声感知装置之外部。如申请专利范围第3项所述之电声感知装置,其中该基板晶片更具有一开口,位于该基板晶片底部,该开口用以连通该第二腔体及该电声感知装置之外部。如申请专利范围第2项所述之电声感知装置,其中该感知晶片具有两个该第一接点,该两第一接点分别电性连接于该积体电路及该背板。如申请专利范围第6项所述之电声感知装置,其中该基板晶片具有两个该第二接点、两个该电性通道及两个该通道接点,该两第二接点分别对应电性接触于该两第一接点,各该电性通道分别对应电性连通一个该第二接点及一个该通道接点。如申请专利范围第2项所述之电声感知装置,其中该装置更包括:一孔盖,设置于该感知晶片上,该孔盖具有至少一入声孔,用以使一声音讯号接触该振动膜。如申请专利范围第2项所述之电声感知装置,其中该装置更包括:一滤网,设置于该感知晶片之顶部,且部分遮盖该第一腔体之该上方开口,其中一声音讯号系穿透通过该滤网以接触该振动膜。如申请专利范围第1项所述之电声感知装置,其中该感知晶片及该基板晶片实质上等宽。如申请专利范围第1项所述之电声感知装置,其中该密封元件为一环状结构,该第一接点及该第二接点系位于该密封元件内侧。如申请专利范围第11项所述之电声感知装置,其中该密封元件为导电材质。如申请专利范围第1项所述之电声感知装置,其中该密封元件为一环状结构,该第一接点及该第二接点系位于该密封元件外侧。如申请专利范围第13项所述之电声感知装置,其中该密封元件为非导电材质。如申请专利范围第1项所述之电声感知装置,其中该感知晶片为一矽晶片。如申请专利范围第1项所述之电声感知装置,其中该基板晶片为一矽晶片。如申请专利范围第1项所述之电声感知装置,其中该第二接点及该通道接点分别位于该基板晶片相对之上下两表面。一种电声感知装置,包括:并排之二感知晶片,用以进行电声转换,并藉以输出一电性讯号,各该感知晶片包括:至少一第一接点;一第一腔体,该第一腔体之一上方开口系连通该电声感知装置之外部;一振动膜,位于各该感知晶片之底部,且遮盖该第一腔体之一下方开口;一背板,平行设置于该振动膜下方,并且与该振动膜相隔一间距;及一积体电路,设置于各该感知晶片内,用以接收该背板输出之讯号;并排之二基板晶片,该二基板晶片分别对应设置于该二感知晶片下方,各该基板晶片具有至少一第二接点、至少一电性通道及至少一通道接点,该第二接点电性接触于该第一接点,该第二接点及该通道接点位于各该基板晶片不同之表面,该电性通道系贯穿各该基板晶片,用以电性连通该第二接点及该通道接点;以及二密封元件,分别设置于该二感知晶片及对应之该二基板晶片之间,分别用以气密对接一个该感知晶片及一个该基板晶片;其中,该电性讯号经由该第一接点、该第二接点及该电性通道传递至该通道接点。
地址 新竹县竹东镇中兴路4段195号