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一种氮化镓系化合物半导体发光元件之制造方法，系于基板上依下列顺序层积有由氮化镓系化合物半导体所形成之n型半导体层、发光层、及p型半导体层，其负极及正极各自接触于n型半导体层及p型半导体层而设置之氮化镓系化合物半导体发光元件之制造方法；其特征为：该正极之至少一部分系以由金属氧化物所作成的透明导电膜所形成，该透明导电膜之至少一部分与p型半导体层接触而设置，经由透明导电膜系于室温下进行成膜且成膜后于300~700℃中进行加热处理的方式，于该透明导电膜之半导体侧表面上，形成有包含III族金属成分之半导体金属混在层，该半导体金属混在层的厚度为0.1~10nm。如申请专利范围第1项所记载之氮化镓系化合物半导体发光元件之制造方法，其中，于半导体金属混在层中，存在有半导体金属的浓度对全部金属为20原子%以上之区域。如申请专利范围第1项所记载之氮化镓系化合物半导体发光元件之制造方法，其中，于距离半导体金属混在层之半导体/透明导电膜的界面未满3nm之范围内，存在有半导体金属的浓度对全部金属为40原子%以上之区域。如申请专利范围第1项所记载之氮化镓系化合物半导体发光元件之制造方法，其中，于距离半导体金属混在层之半导体/透明导电膜的界面为3nm以上之范围的半导体金属的浓度对全部金属为15原子%以下。如申请专利范围第1项所记载之氮化镓系化合物半导体发光元件之制造方法，其中，透明导电膜系由透明导电膜接触层及透明导电膜电流扩散层所形成，透明导电膜接触层与p型半导体层接触。如申请专利范围第5项所记载之氮化镓系化合物半导体发光元件之制造方法，其中，透明导电膜接触层系以RF溅镀(Radio Frequency Sputtering：射频磁控溅镀)法所成膜。如申请专利范围第5项所记载之氮化镓系化合物半导体发光元件之制造方法，其中，透明导电膜电流扩散层系以DC溅镀(Direct Current Sputtering：直流真空溅镀)法所成膜。如申请专利范围第5项所记载之氮化镓系化合物半导体发光元件之制造方法，其中，透明导电膜接触层的厚度为1~5nm。如申请专利范围第5项所记载之氮化镓系化合物半导体发光元件之制造方法，其中，透明导电膜电流扩散层的厚度为150~500nm。如申请专利范围第5项所记载之氮化镓系化合物半导体发光元件之制造方法，其中，透明导电膜电流扩散层，系于接近p型半导体之一侧与远离p型半导体之一侧中采取不同构造，远离半导体之一侧的层的构造为柱状构造。如申请专利范围第10项所记载之氮化镓系化合物半导体发光元件之制造方法，其中，接近半导体之一侧的构造体层的膜厚为30~100nm。如申请专利范围第1项所记载之氮化镓系化合物半导体发光元件之制造方法，其中，于p型半导体层中，存在有包含透明导电膜的金属成分之正极金属混在层。如申请专利范围第12项所记载之氮化镓系化合物半导体发光元件之制造方法，其中，正极金属混在层的厚度为0.1~5nm。如申请专利范围第12项所记载之氮化镓系化合物半导体发光元件之制造方法，其中，正极金属混在层中之透明导电膜金属成分的浓度，对正极金属混在层中的全部金属为0.1~20原子%。如申请专利范围第1项所记载之氮化镓系化合物半导体发光元件之制造方法，其中，透明导电膜系由，从以In、Sn、Zn、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ga、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir及Pt所组成的群当中所选出之至少1种金属的氧化物所形成。如申请专利范围第15项所记载之氮化镓系化合物半导体发光元件之制造方法，其中，透明导电膜系由，从以In、Sn、Zn、Al、Cu、Ag、Ga、Ge、W、Mo及Cr所组成的群当中所选出之至少1种金属的氧化物所形成。 |
