| 主权项 |
一种移除氧化层的方法，包含有：将一包含该氧化层的基底置于一反应室中，且该反应室包含有：一用来放置该基底的晶座设置于该反应室内之底部，且该晶座具有冷却该基底的功能；一喷气头(shower head)设置于该晶座的上方；一加热器设置于该晶座的上方，以加热该基底；进行一蚀刻反应；进行一第一热处理制程；以及进行一第二热处理制程，且该第二热处理制程的反应温度大于该第一热处理制程的反应温度。如申请专利范围第1项所述之方法，其中于进行该第二热处理制程时，该加热器与该基底的距离比进行该第一热处理制程时该加热器与该基底的距离短。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该加热器系设置于该喷气头中。如申请专利范围第1项所述之方法，其中于进行该蚀刻反应时，会于该反应室中产生蚀刻剂，以与该氧化层反应，形成固态的生成物生成于该基底上。如申请专利范围第4项所述之方法，其中进行该蚀刻反应时，该晶座会冷却该基底。如申请专利范围第4项所述之方法，其中于进行该第一热处理制程时的反应温度约为100至200℃，以使该固态的生成物挥发成为挥发性的生成物，且该晶座并未冷却该基底。如申请专利范围第6项所述之方法，其中于进行该第二热处理制程时的反应温度大于约250℃，且该晶座并未冷却该基底。如申请专利范围第6项所述之方法，其中于进行该第一热处理制程时会于该反应室中通入选自氢气、氮气、或氦气的气体，或是其组合的混合气体。如申请专利范围第7项所述之方法，其中于进行该第二热处理制程时会于该反应室中通入选自氢气、氮气、或氦气的气体，或是其组合的混合气体。一种移除氧化层的方法，包含有：将一包含该氧化层的基底置于一第一反应室中；进行一蚀刻反应；进行一第一热处理制程；将该基底置于一第二反应室中，以进行一第二热处理制程，且该第二热处理制程的反应温度大于该第一热处理制程的反应温度。如申请专利范围第10项所述之方法，其中该第一反应室包含有：一晶座设置于该第一反应室内之底部，其中该晶座系用来放置该基底，而且具有冷却该基底的功能；一喷气头设置于该晶座的上方，其中该喷气头包含有复数个孔洞，用来使通入该第一反应室的反应气体均匀分散；以及一加热器设置于该晶座的上方，以加热该基底。如申请专利范围第11项所述之方法，其中该加热器系设置于该喷气头中。如申请专利范围第10项所述之方法，其中于进行该蚀刻反应时，会于该反应室中产生蚀刻剂，以与该氧化层反应，形成固态的生成物生成于该基底上。如申请专利范围第13项所述之方法，其中于进行该蚀刻反应时，该晶座会冷却该基底。如申请专利范围第13项所述之方法，其中于进行该第一热处理制程时的反应温度约为100至200℃，以使该固态的生成物挥发成为挥发性的生成物，且该晶座并未冷却该基底。如申请专利范围第15项所述之方法，其中于进行该第二热处理制程时的反应温度大于约250℃，且该晶座并未冷却该基底。如申请专利范围第15项所述之方法，其中于进行该第一热处理制程时会于该第一反应室中通入选自氢气、氮气、或氦气的气体，或其组合的混合气体。如申请专利范围第16项所述之方法，其中于进行该第二热处理制程时会于该第二反应室中通入选自氢气、氮气、或氦气的气体，或其组合的混合气体。 |
