发明名称 具有静电放电保护电路之液晶显示装置及其制造方法
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.09.11
申请号 TW094100070 申请日期 2005.01.03
申请人 统宝控股有限公司 发明人 田中秀夫
分类号 H01L29/786;G02F1/133 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人 洪澄文 台北市大安区信义路4段279号3楼;颜锦顺 台北市大安区信义路4段279号3楼
主权项 一种具有一ESD保护电路的液晶显示装置,包括:经由一层间绝缘膜形成于一绝缘基板上之一源极和一汲极;一闸绝缘膜,其具有复数个凹进部分于该源极及该汲极上,以使该闸绝缘膜具有部分处于该源极和该汲极上之一相对较薄薄膜部分;以及一闸汇流排层,其形成于至少包括该较薄薄膜部分之该闸绝缘膜上,其中由该源极、该汲极,处于该较薄薄膜部分中之该闸绝缘层以及该闸汇流排层构成一MIM结构。如请求项1所述之装置,其中复数个该等MIM结构串联连接。如请求项1或2所述之装置,其中该较薄薄膜部分之厚度为50奈米或更小。一种具有一ESD保护电路之一液晶显示装置的制造方法,包括以下步骤:经由一层间绝缘膜在一绝缘基板上形成一源极和一汲极;形成一闸绝缘膜,其具有复数个凹进部分于该源极及该汲极上,以使该闸绝缘膜具有部分处于该源极和该汲极上的一相对较薄薄膜部分;以及在至少包括该较薄薄膜部分之该闸绝缘膜上形成一闸汇流排层,其中由该源极、该汲极,处于该较薄薄膜部分中之该闸绝缘层以及该闸汇流排层构成一MIM结构。如请求项4所述之方法,其中在该闸绝缘膜中形成该较薄薄膜部分之该步骤包括以下步骤:在该闸绝缘膜上形成一有机膜;使用使该较薄薄膜部分中曝光量相对较低的一遮罩曝光该有机膜,显影经过曝光的有机膜;该减小所显影的有机膜的厚度而露出该较薄薄膜部分中的该闸绝缘膜;以及经由蚀刻该露出的闸绝缘膜而形成该些凹进部分。如请求项5所述之方法,其中该遮罩包括一具有相对较大曝光量的部分,该有机膜通过该部分曝光,并且在一显影所曝光有机膜的区域中形成一接触孔。如请求项5或6所述之方法,其中使用一半色调遮罩或一绕射遮罩作为该遮罩,使该较薄薄膜部分中曝光量相对较低。
地址 香港