| 主权项 |
一种半导体装置，其包含：一第一引线框架，其具有定义一凹穴之一周边，以及复数个从该周边向内延伸的引线，其中该第一引线框架具有一第一厚度及该每一引线包含一第一部份蚀刻部分；一第二引线框架，其具有一围绕一晶粒接收区域之晶粒桨，该第二引线框架具有一顶部表面、一底部表面与一第二厚度；一积体电路(IC)，其系置放于该第二引线框架之该晶粒接收区域内，该IC具有复数个位于其一第一表面之一周边部分上之焊垫，其中该第二引线框架与该IC系面对该第一引线框架，并且将该第一引线框架之该等引线电性连接至该等焊垫之个别焊垫；插入在该IC之该等焊垫与该第一引线框架之该等引线之间的复数个导电球，其中该等导电球将该等引线之个别引线电性连接至该IC之该等焊垫之个别焊垫，其中该等导电球压在该第一引线框架之该等引线上，以及其中该等引线之该第一部分蚀刻部分允许该等引线弯曲，使得该等引线之一回弹力作用于该等导电球上，从而增强该等引线与该等球的接合强度；以及一模压化合物，其注入在该等第一与第二引线框架之间并覆盖该第二引线框架顶部表面以及该IC之该第一表面之一中心区域，并且其中至少将该等引线之底部表面曝露。如请求项1之半导体装置，其中部分地蚀刻该第一引线框架之该等复数个引线包含一第二部分蚀刻部分，并且将该等导电球接收于该等引线之该等已蚀刻的部分内。如请求项1之半导体装置，其中将该IC之面对该第一表面的一第二表面曝露。如请求项1之半导体装置，其中该等第一与第二引线框架系由铜所形成。如请求项4之半导体装置，其中该第一引线框架系以锡预电镀。如请求项1之半导体装置，其中该第二引线框架厚度大于该第一引线框架厚度。如请求项1之半导体装置，其中该等第一与第二引线框架系彼此电性绝缘。如请求项7之半导体装置，其中该第一引线框架进一步包含一位于该凹穴内的接地平面，其中将该等IC焊垫之一或多个IC焊垫电性连接至该接地平面。 |
