| 主权项 |
一种烙铁控制模组，应用于一烙铁及一烙铁架，该烙铁架用以容置该烙铁，该烙铁具有一烙铁头，该烙铁控制模组包括：一感测单元，用以提供一感测讯号以表示该烙铁是否置于该烙铁架；以及一烙铁控制系统，包括：一锡料供应单元；及一控制单元，用以根据该感测讯号判断该烙铁是否容置于该烙铁架且长达一第一时间，当该控制单元判定该烙铁容置于该烙铁架且长达该第一时间时，该控制单元用以控制该锡料供应单元来提供锡料至该烙铁头以保护该烙铁头，并用以关闭该烙铁之电源。如申请专利范围第1项所述之烙铁控制模组，其中当该控制单元判断该烙铁是否容置于该烙铁架且长达该第一时间前，该控制单元更用以判断该烙铁是否容置于该烙铁架且已先长达一第二时间；其中当该控制单元判定该烙铁容置于该烙铁架且长达该第二时间时，该控制单元更用以降低该烙铁头之温度。如申请专利范围第2项所述之烙铁控制模组，其中该第一时间系实质上为二十分钟，该第二时间系实质上为十分钟。如申请专利范围第2项所述之烙铁控制模组，其中该烙铁控制系统更包括：一设定单元，用以设定该第一及该第二时间。如申请专利范围第2项所述之烙铁控制模组，其中该控制单元于降低该烙铁头之温度前，更用以储存被降低温度前之该烙铁头之温度为一降温前温度。如申请专利范围第5项所述之烙铁控制模组，其中该控制单元于降低该烙铁头之温度后，若判定该烙铁不再置于该烙铁架时，该控制单元更用以提高该烙铁头之温度为该降温前温度。如申请专利范围第2项所述之烙铁控制模组，其中当该控制单元降低该烙铁头之温度时，系降低该烙铁头之温度为一预定温度。如申请专利范围第7项所述之烙铁控制模组，其中该预定温度系实质上为300℃至350℃。如申请专利范围第1项所述之烙铁控制模组，其中该锡料供应单元包括：一马达，用以带动锡料；以及一支撑架，耦接至该烙铁架，用以导引锡料；其中，当该烙铁容置于该烙铁架且长达该第一时间时，该控制单元更用以启动该马达，以带动锡料，并经由该支撑架导引锡料至该烙铁头。如申请专利范围第1项所述之烙铁控制模组，其中该感测单元系一光感测器，藉侦测该烙铁是否置于该烙铁架而影响该光感测器接收之光线状态，以决定该感测讯号之输出。一种烙铁装置，包括：一烙铁，具有一烙铁头；一烙铁架，用以容置该烙铁；以及一烙铁控制模组，包括：一感测单元，用以提供一感测讯号以表示该烙铁是否容置于该烙铁架；及一烙铁控制系统，包括：一锡料供应单元；及一控制单元，用以根据该感测讯号判断该烙铁是否容置于该烙铁架且长达一第一时间，当该控制单元判定该烙铁容置于该烙铁架且长达该第一时间时，该控制单元用以控制该锡料供应单元来提供锡料至该该烙铁头以保护该烙铁头，并用以关闭该烙铁之电源。如申请专利范围第11项所述之烙铁装置，其中该锡料供应单元包括：一马达，用以带动锡料；以及一支撑架，耦接至该烙铁架，用以导引锡料；其中，当该烙铁容置于该烙铁架且长达该第一时间时，该控制单元更用以启动该马达，以带动锡料，并经由该支撑架导引锡料至该烙铁头。一种烙铁控制方法，包括：提供一感测讯号以表示一烙铁是否容置于一烙铁架；根据该感测讯号判断该烙铁是否容置于该烙铁架且长达一第一时间；以及当该烙铁容置于该烙铁架且长达一第一时间时，提供锡料至该烙铁之一烙铁头以保护该烙铁头，并关闭该烙铁之电源。如申请专利范围第13项所述之方法，其中提供该感测讯号之该步骤更包括：由耦接至该烙铁及该烙铁架之一感测单元提供该感测讯号。如申请专利范围第13项所述之方法，其中于判断该烙铁是否容置于该烙铁架且长达该第一时间前，该方法更包括：根据该感测讯号判断该烙铁是否容置于该烙铁架且已先长达一第二时间；以及当该烙铁容置于该烙铁架且长达该第二时间时，降低该烙铁头之温度。如申请专利范围第15项所述之方法，其中该第一时间系实质上为二十分钟，该第二时间系实质上为十分钟。如申请专利范围第15项所述之方法，该方法更包括：设定该第一及该第二时间。如申请专利范围第15项所述之方法，其中于降低该烙铁之温度之该步骤前，该方法更包括：储存被降低温度前之该烙铁头之温度为一降温前温度。如申请专利范围第18项所述之方法，其中于降低该烙铁之温度之该步骤后，该方法更包括：当该烙铁不再容置于该烙铁架时，提高该烙铁头之温度为该降温前温度。如申请专利范围第15项所述之方法，其中于降低该烙铁之温度之该步骤更包括：降低该烙铁头之温度为一预定温度。如申请专利范围第20项所述之方法，其中该预定温度系实质上为300℃至350℃。如申请专利范围第13项所述之方法，其中提供锡料至该烙铁头之该步骤更包括：启动一马达来带动锡料，以使耦接至该烙铁架之一支撑架导引锡料至该烙铁头。 |
