| 主权项 |
一种半导体装置，系具备复数N(N≧2)个半导体功率元件者，其特征为：由复数M(M≧2)个分割元件构成上述各半导体功率元件，以将属于不同半导体功率元件之分割元件反覆依序并置排列之方式，配设NxM个分割元件，与上述复数N个半导体功率元件对应，而设有复数N个输出焊垫；将属于上述各半导体功率元件之M个分割元件的输出配线，连接至与上述各半导体功率元件对应之上述输出焊垫，且具有控制信号连接于属于同一个半导体功率元件之M个分割元件。如申请专利范围第1项之半导体装置，其中，具有电源配线或接地配线，将上述NxM个分割元件至少连接到一个电源焊垫或接地焊垫，而上述电源配线或接地配线之配线层，系藉由与上述输出配线之配线层不同的配线层而形成。一种半导体装置，系具备复数N(N≧2)个半导体功率元件者，其特征为包括：半导体积体电路本体，由复数M(M≧2)个分割元件构成上述各半导体功率元件，以将属于不同半导体功率元件之分割元件反覆依序并置排列之方式，配设NxM个分割元件，并且以各输出配线不会相互交叉之方式，使上述NxM个分割元件之输出配线连接于NxM个输出焊垫；以及再配线层，系于上述半导体积体电路本体上，配置有电性连接于上述NxM个输出焊垫而输出各项输出之输出凸块，并且，藉由隔着绝缘层而设在上述半导体积体电路本体间之输出结合配线，连接上述N个半导体功率元件中属于相同功率元件之上述输出凸块，然后再连接到用以连接外部之输出外部电极。如申请专利范围第3项之半导体装置，其中，于上述半导体积体电路本体中，具有将上述NxM个分割元件连接到至少一个电源焊垫或者接地焊垫之电源配线或接地配线，而上述电源配线或接地配线之配线层系藉由与上述输出配线之配线层不同的配线层而形成。如申请专利范围第4项之半导体装置，其中，在形成上述输出凸块与上述绝缘层之后，即利用与上述输出凸块相同之材料来形成上述输出结合配线。如申请专利范围第4项之半导体装置，其中，上述输出外部电极系球状电极。如申请专利范围第3项之半导体装置，其中，于上述半导体积体电路本体中，具有将上述NxM个分割元件连接于至少一个电源焊垫或者接地焊垫之电源配线或接地配线，于上述再配线层中，上述电源凸块或接地凸块系配置成与上述电源焊垫或者接地焊垫作电性接触，而电源外部电极或接地外部电极则连接于上述电源凸块或接地凸块。如申请专利范围第7项之半导体装置，其中，上述电源配线或者接地配线与上述任一条输出配线，系以不会相互交叉之方式配设在同一平面上。如申请专利范围第8项之半导体装置，其中，在形成上述输出凸块与上述绝缘层之后，利用与上述输出凸块相同之材料来形成上述输出结合配线。如申请专利范围第8项之半导体装置，其中，上述输出外部电极系球状电极。如申请专利范围第7项之半导体装置，其中，上述NxM个输出焊垫系在属于各半导体功率元件之分割元件群组中，配置在与各分割元件不同之方向。如申请专利范围第11项之半导体装置，其中，上述NxM个电源焊垫或接地焊垫系在属于各半导体功率元件之分割元件群组中，系相对于各分割元件配置在与上述输出焊垫不同之方向。如申请专利范围第7项之半导体装置，其中，在形成上述输出凸块与上述绝缘层之后，即利用与上述输出凸块相同之材料来形成上述输出结合配线。如申请专利范围第7项之半导体装置，其中，上述输出外部电极系球状电极。如申请专利范围第3项之半导体装置，其中，在形成上述输出凸块与上述绝缘层之后，即利用与上述输出凸块相同之材料来形成上述输出结合配线。如申请专利范围第3项之半导体装置，其中，上述输出外部电极系球状电极。 |
