厚膜导电体组合物及其用于多层电子电路及装置之处理技术

主权项

一种用于低温共烧陶瓷电路中之厚膜组合物，其包含以总厚膜组合物之重量百分比计：(a)30-96重量%之选自贵金属、贵金属合金及其混合物之细粉状粒子；(b)一或多种选自下列之无机黏合剂：(1)0.2-10重量%之一或多种在该电路之烧制温度下具有6-7.6范围中之比黏度(log n)的难熔玻璃组合物；(2)0.1-5重量%之选自(i)金属氧化物、(ii)金属氧化物前驱体、(iii)非氧化物硼化物、(iv)非氧化物矽化物及(v)其混合物之额外无机黏合剂；及(3)其混合物；(c)2-20重量%之有机介质中，其包含具有45.0-51.5范围中之特定乙氧基含量及每脱水葡萄糖单位中2.22-2.73范围中之乙氧基取代度的乙基纤维素；其中组份(a)及(b)系分散于该有机介质中。如请求项1之组合物，其中该等玻璃组合物在烧制条件下，与存在于该低温共烧陶瓷基板玻璃中之残余玻璃不混溶或可部分混溶。如请求项1之组合物，其中该乙基纤维素之乙氧基含量在48.0-49.5%之范围中。如请求项1之组合物，其中该每脱水葡萄糖单位中之乙氧基取代度在2.46-2.58单位之范围中。如请求项1之组合物，其中该等贵金属系选自Au、Ag、Pd及Pt。如请求项1之组合物，其中该等贵金属合金为选自Au、Ag、Pd及Pt之金属的合金。如请求项1之组合物，其中该等金属氧化物系选自Zn、Mg、Co、Al、Zr、Mn、Ni、Cu、Ta、W、La及其混合物之氧化物。如请求项1之组合物，其中该等金属氧化物之前驱体为Zn、Mg、Co、Al、Zr、Mn、Ni、Cu、Ta、W、La氧化物及其混合物之前驱体。如请求项1之组合物，其中该难熔玻璃组合物包含以总玻璃组合物之重量百分比计，25-60% SiO2、10-20% Al2O3、10-15% B2O3、5-25% CaO及1-5%余量之其他网路改质离子。如请求项1之组合物，其中该贵金属为球形Au且其中该Au之平均粒径分布在1至6微米之范围中。一种低温共烧陶瓷电路，其包含如请求项1之组合物，其中该组合物已经处理而烧结玻璃料、金属粉末及/或其他烧结助剂且移除该有机介质。一种形成一多层电路之方法，其包含：a)在复数个生磁带层中形成一经图案化之通道阵列；b)用通道填充厚膜组合物填充步骤(a)之该(等)生磁带层中之该等通道；c)在步骤(b)之该等经通道填充之生磁带层中之任何或所有者的一表面上印刷经图案化之厚膜功能层；d)在步骤(c)之该等生磁带层之最外表面上印刷经图案化之一表面厚膜之层；e)层压步骤(d)之该等经印刷生磁带层以形成一装配，其包含复数个由未经烧制之生磁带分隔的未经烧制互连功能层；及f)共烧步骤(e)之该装配；且其中该通道填充厚膜组合物、该等经图案化之厚膜功能层及该表面厚膜中之一或多者系利用请求项1之组合物。一种形成一多层电路之方法，其包含：a)在复数个生磁带层中形成一经图案化之通道阵列；b)用通道填充厚膜组合物填充步骤(a)之该(等)生磁带层中之该等通道；c)在步骤(b)之该等经通道填充之生磁带层中之任一者或全部的表面上印刷经图案化之厚膜功能层；d)层压步骤(c)之该等经印刷生磁带层以形成一装配，其包含复数个由未经烧制之生磁带分隔的未经烧制之互连功能层；e)在步骤(d)之该装配上印刷至少一个经图案化之表面厚膜组合物层；及f)共烧步骤(e)之该装配及该(等)经图案化层；且其中该通道填充厚膜组合物、该等经图案化之厚膜功能层及该表面厚膜中之一或多者系利用请求项1之组合物。如请求项12或13中任一项之方法，其中该通道填充厚膜组合物及该(等)厚膜功能层中之至少一者系利用如请求项1之组合物且其中该通道填充厚膜组合物及该(等)厚膜功能层系在一单一步骤中同时经印刷。一种经烧结之多层电路结构，其包含：(a)一位于复数个生磁带层中之经图案化之通道阵列，该等通道系被一通道填充厚膜组合物所填充；(b)经图案化之厚膜功能层，其系印刷在步骤(a)之该等经通道填充之生磁带层中之任一者或其全部之表面上；及(c)至少一经图案化之表面厚膜层，其系印刷在步骤(b)之厚膜功能层之最外表面上；其中该通道填充厚膜组合物、该等经图案化之厚膜功能层及该至少一经图案化之表面厚膜层中至少一者包含请求项1之组合物。一种如请求项1之组合物的用途，其系用于形成选自包含以下之群之微波及其他高频电路组件：天线、滤波器、贝楞(balun)、波束成型器、输入/输出组件、耦合器、通道馈通、EM耦合馈通、引线接合连接及传输线。