| 主权项 |
一种堆叠式晶片封装结构，包含：一导线架，包含复数个相对交错排列的复数个第一内引脚、复数个第二内引脚，其中该复数个相对交错排列的复数个第一内引脚与复数个第二内引脚之交错部份形成一晶片承座区；一多晶片交互交错堆叠结构，该多晶片交互交错堆叠结构由复数个第一晶片及复数个第二晶片交互交错堆叠而成，每一该第二晶片系堆叠于每一该第一晶片之一主动面上，且每一该第一晶片之主动面上的一侧边附近配置并暴露复数个焊垫及每一该第二晶片之主动面上之相对于该第一晶片之该复数个暴露焊垫之另一侧边附近亦配置并暴露复数个焊垫，并以该堆叠结构最底层之第一晶片之被动面固接于该晶片承座上；复数条金属导线，用以将该多晶片交互交错堆叠结构之该复数个第一晶片及该复数个第二晶片上的复数个焊垫与该复数个成相对交错排列的该复数个第一内引脚与该复数个第二内引脚电性连接，其中该复数个第一晶片与该复数个第一内引脚电性连接，该复数个第二晶片与该复数个第二内引脚电性连接；以及一封装体，包覆该多晶片交互交错堆叠结构及部份该导线架。如申请专利范围第1项之封装结构，其中该复数个第一内引脚之自由端与该复数个第二内引脚之自由端被该多晶片交互交错堆叠结构所覆盖。如申请专利范围第1项之封装结构，其中该复数个第一内引脚与该复数个第二内引脚之交错部份所形成之该晶片承座区具有一下置结构。如申请专利范围第1项所述之封装结构，其中该多晶片交互交错堆叠结构中的每一该第一晶片包括：一晶片本体，具有一焊线接合区域，该焊线接合区域系邻近于该晶片本体之单一侧边或相邻两侧边，其中该晶片本体具有多个位于该焊线接合区域内之第一焊垫以及多个位于该焊线接合区域外之第二焊垫；一第一保护层，配置于该晶片本体上，其中该第一保护层具有多个第一开口，以暴露出该些第一焊垫与该些第二焊垫；一重配置线路层，配置于该第一保护层上，其中该重配置线路层从该些第二焊垫延伸至该焊线接合区域内，而该重配置线路层具有多个位于该焊线接合区域内的第三焊垫；以及一第二保护层，覆盖于该重配置线路层上，其中该第二保护层具有多个第二开口，以暴露出该些第一焊垫以及该些第三焊垫。如申请专利范围第1项所述之封装结构，其中该多晶片交互交错堆叠结构中的每一该第二晶片包括：一晶片本体，具有一焊线接合区域，该焊线接合区域系邻近于该晶片本体之单一侧边或相邻两侧边，其中该晶片本体具有多个位于该焊线接合区域内之第一焊垫以及多个位于该焊线接合区域外之第二焊垫；一第一保护层，配置于该晶片本体上，其中该第一保护层具有多个第一开口，以暴露出该些第一焊垫与该些第二焊垫；一重配置线路层，配置于该第一保护层上，其中该重配置线路层从该些第二焊垫延伸至该焊线接合区域内，而该重配置线路层具有多个位于该焊线接合区域内的第三焊垫；以及一第二保护层，覆盖于该重配置线路层上，其中该第二保护层具有多个第二开口，以暴露出该些第一焊垫以及该些第三焊垫。如申请专利范围第4项或第5项所述之封装结构，其中该重配线路层的材料包括金、铜、镍、钛化钨或钛。如申请专利范围第4项或第5项所述之封装结构，其中该些晶片上的该些第一焊垫以及该些第三焊垫系沿着该晶片本体之单一侧边排列成至少一列。一种堆叠式晶片封装结构，包含：一导线架，包含复数个相对交错排列的复数个第一内引脚、复数个第二内引脚，其中该复数个相对交错排列的复数个第一内引脚与复数个第二内引脚之交错部份形成一晶片承座区；一多晶片交互交错堆叠结构，系固接于该晶片承座区之上，该多晶片交互交错堆叠结构由复数个第一晶片及复数个第二晶片交互交错堆叠而成且每一该第一晶片之一主动面上的一侧边附近配置并暴露复数个焊垫及每一该第二晶片之主动面上之相对于该第一晶片之该复数个暴露焊垫之另一侧边附近亦配置并暴露复数个焊垫；复数条金属导线，用以将该多晶片交互交错堆叠结构之该复数个第一晶片及该复数个第二晶片上的复数个焊垫与该复数个成相对交错排列的该复数个第一内引脚与该复数个第二内引脚电性连接，其中该复数个第一晶片与该复数个第二晶片上的奇数焊垫与该复数个第一内引脚电性连接，而该复数个第一晶片与该复数个第二晶片上的偶数焊垫与该复数个第二内引脚电性连接；以及一封装体，包覆该多晶片交互交错堆叠结构及该部份导线架。如申请专利范围第8项之封装结构，其中该复数个第一内引脚与该复数个第二内引脚之交错部份所形成之该晶片承座区具有一下置结构。如申请专利范围第8项所述之封装结构，其中该多晶片交互交错堆叠结构中的每一该第一晶片包括：一晶片本体，具有一焊线接合区域，该焊线接合区域系邻近于该晶片本体之单一侧边或相邻两侧边，其中该晶片本体具有多个位于该焊线接合区域内之第一焊垫以及多个位于该焊线接合区域外之第二焊垫；一第一保护层，配置于该晶片本体上，其中该第一保护层具有多个第一开口，以暴露出该些第一焊垫与该些第二焊垫；一重配置线路层，配置于该第一保护层上，其中该重配置线路层从该些第二焊垫延伸至该焊线接合区域内，而该重配置线路层具有多个位于该焊线接合区域内的第三焊垫；以及一第二保护层，覆盖于该重配置线路层上，其中该第二保护层具有多个第二开口，以暴露出该些第一焊垫以及该些第三焊垫。如申请专利范围第8项所述之封装结构，其中该多晶片交互交错堆叠结构中的每一该第二晶片包括：一晶片本体，具有一焊线接合区域，该焊线接合区域系邻近于该晶片本体之单一侧边或相邻两侧边，其中该晶片本体具有多个位于该焊线接合区域内之第一焊垫以及多个位于该焊线接合区域外之第二焊垫；一第一保护层，配置于该晶片本体上，其中该第一保护层具有多个第一开口，以暴露出该些第一焊垫与该些第二焊垫；一重配置线路层，配置于该第一保护层上，其中该重配置线路层从该些第二焊垫延伸至该焊线接合区域内，而该重配置线路层具有多个位于该焊线接合区域内的第三焊垫；以及一第二保护层，覆盖于该重配置线路层上，其中该第二保护层具有多个第二开口，以暴露出该些第一焊垫以及该些第三焊垫。如申请专利范围第10项或第11项所述之封装结构，其中该重配线路层的材料包括金、铜、镍、钛化钨或钛。如申请专利范围第10项或第11项所述之封装结构，其中该些晶片上的该些第一焊垫以及该些第三焊垫系沿着该晶片本体之单一侧边排列成至少一列。一种堆叠式晶片封装结构，包含：一导线架，包含复数个平行且间隔排列之内引脚，该内引脚向一自由端延伸之一侧形成一下置结构；一多晶片交互交错堆叠结构，系固接于该下置结构之上，该多晶片交互交错堆叠结构由复数个第一晶片及复数个第二晶片交互交错堆叠而成且每一该第一晶片之一主动面上的一侧边附近配置并暴露复数个焊垫及每一该第二晶片之主动面上之相对于该第一晶片之该复数个暴露焊垫之另一侧边附近亦配置并暴露复数个焊垫，其中该等曝露之焊垫均相邻每一该内引脚；复数条金属导线，用以将该多晶片交互交错堆叠结构中的每一曝露之焊垫与相邻之每一该内引脚电性连接，其中该复数个第一晶片及该复数个第二晶片上同一列上的焊垫电性连接至同一内引脚；以及一封装体，包覆该多晶片交互交错堆叠结构及该部份导线架。如申请专利范围第14项所述之封装结构，其中该多晶片交互交错堆叠结构中的每一该第一晶片包括：一晶片本体，具有一焊线接合区域，该焊线接合区域系邻近于该晶片本体之单一侧边或相邻两侧边，其中该晶片本体具有多个位于该焊线接合区域内之第一焊垫以及多个位于该焊线接合区域外之第二焊垫；一第一保护层，配置于该晶片本体上，其中该第一保护层具有多个第一开口，以暴露出该些第一焊垫与该些第二焊垫；一重配置线路层，配置于该第一保护层上，其中该重配置线路层从该些第二焊垫延伸至该焊线接合区域内，而该重配置线路层具有多个位于该焊线接合区域内的第三焊垫；以及一第二保护层，覆盖于该重配置线路层上，其中该第二保护层具有多个第二开口，以暴露出该些第一焊垫以及该些第三焊垫。如申请专利范围第14项所述之封装结构，其中该多晶片交互交错堆叠结构中的每一该第二晶片包括：一晶片本体，具有一焊线接合区域，该焊线接合区域系邻近于该晶片本体之单一侧边或相邻两侧边，其中该晶片本体具有多个位于该焊线接合区域内之第一焊垫以及多个位于该焊线接合区域外之第二焊垫；一第一保护层，配置于该晶片本体上，其中该第一保护层具有多个第一开口，以暴露出该些第一焊垫与该些第二焊垫；一重配置线路层，配置于该第一保护层上，其中该重配置线路层从该些第二焊垫延伸至该焊线接合区域内，而该重配置线路层具有多个位于该焊线接合区域内的第三焊垫；以及一第二保护层，覆盖于该重配置线路层上，其中该第二保护层具有多个第二开口，以暴露出该些第一焊垫以及该些第三焊垫。如申请专利范围第15项或第16项所述之封装结构，其中该重配线路层的材料包括金、铜、镍、钛化钨或钛。如申请专利范围第15项或第16项所述之封装结构，其中该些晶片上的该些第一焊垫以及该些第三焊垫系沿着该晶片本体之单一侧边排列成至少一列。 |
