发明名称 PROCEDE DE REALISATION D'UNE STRUCTURE MULTICOUCHE AVEC DETOURAGE POST MEULAGE.
摘要 L'invention concerne un procédé de réalisation d'une structure multicouche (130) comprenant: - le collage (S1) d'une première plaque (110) sur une deuxième plaque (120à), au moins la première plaque présentant un bord chanfreiné (117a, 117b), - l'amincissement (S2, S4) de la première plaque (110) pour former une couche transférée (115), ledit amincissement comprenant une étape de meulage et une étape de gravure chimique. Après l'étape de meulage et avant l'étape de gravure chimique, une étape de détourage (S3) du bord de la première plaque (110) est réalisée avec une roue (150) dont la surface de travail (151) comprend des particules abrasives d'une taille moyenne inférieure ou égale à 800 mesh ou supérieure ou égale à 18 microns, ladite étape de détourage étant réalisée sur une profondeur déterminée (Pdno) dans la première plaque (110) de manière à laisser subsister au niveau de la zone détourée une épaisseur (e1110) de la première plaque (110) inférieure ou égale à 35 µm.
申请公布号 FR2957189(A1) 申请公布日期 2011.09.09
申请号 FR20100051485 申请日期 2010.03.02
申请人 S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES 发明人 VAUFREDAZ ALEXANDRE;MOLINARI SEBASTIEN
分类号 H01L21/302;H01L27/146 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
主权项
地址