Verfahren zur Dotierung eines Halbleitersubstrats und Solarzelle mit zweistufiger Dotierung
摘要
<p>Verfahren zur Dotierung eines Halbleitersubstrats (50), bei welchem das Halbleitersubstrat (50) durch Bestrahlung (14) mit Laserstrahlung (60) erhitzt wird und dabei in erhitzten Bereichen (52) Dotierstoff aus einer Dotierstoffquelle (54) in das Halbleitersubstrat (50) eindiffundiert wird (16), und bei welchem bei dem Erhitzen des Halbleitersubstrats (50) durch die Bestrahlung (14) mit Laserstrahlung (60) ein Flächenanteil des Halbleitersubstrats (50) angeschmolzen (18) und rekristallisiert (20) wird, der weniger als 10% der Gesamtfläche aller bestrahlten Bereiche (62) beträgt, sowie Solarzelle.</p>
