发明名称 一种基于Pockels效应的二维表面电荷测量系统及其测量方法
摘要 本发明公开了一种基于Pockels效应的二维表面电荷测量系统及其测量方法,该测量系统包括测量核心单元、检偏器和相机,检偏器位于核心测量单元与相机之间;所述测量核心单元由LED平面光源、圆偏振片和Pockels晶体构成,圆偏振片设置在LED平面光源和Pockels晶体之间,Pockels晶体设置在靠近检偏器的一侧;所述Pockels晶体以光学玻璃为衬底,粘贴在光学玻璃的外侧,光学玻璃内侧镀有氧化铟锡透明导电薄膜做为地电极。该方法能够在绝缘材料放电过程中快速动态地记录二维表面电荷的发展过程并同时反演电荷的极性和密度信息,并且该装置结构简单,实现方便,在材料表面放电研究中提供了很好的研究手段。
申请公布号 CN102175931A 申请公布日期 2011.09.07
申请号 CN201110009563.3 申请日期 2011.01.17
申请人 西安交通大学 发明人 穆海宝;张冠军;黄学增;詹江杨
分类号 G01R29/14(2006.01)I 主分类号 G01R29/14(2006.01)I
代理机构 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人 陆万寿
主权项 一种基于Pockels效应的二维表面电荷测量系统,其特征在于:包括测量核心单元、检偏器和相机,检偏器位于核心测量单元与相机之间;所述测量核心单元由LED平面光源、圆偏振片和Pockels晶体构成,圆偏振片设置在LED平面光源和Pockels晶体之间,Pockels晶体设置在靠近检偏器的一侧;所述Pockels晶体以光学玻璃为衬底,粘贴在光学玻璃的外侧,光学玻璃内侧镀有氧化铟锡透明导电薄膜做为地电极;在Pockels晶体外侧覆盖被测透明绝缘材料,被测透明绝缘材料上连接有接高压的针电极。
地址 710049 陕西省西安市咸宁西路28号