| 发明名称 | 半导体器件及这种器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件(10)，具有衬底(11)和硅半导体本体(12)，包括具有晶体管(T)的有源区(A)和围绕有源区(A)的无源区(P)，并且配置有与从半导体本体(12)的表面下陷的金属材料导电区(2)相连的金属材料掩埋导电区(1)，据此所述掩埋导电区(1)至少是在半导体本体(12)的有源区的位置处是可电连接的。根据本发明，掩埋导电区(1)是在半导体本体(12)的有源区(A)的位置处的。按照这种方式，使用具有与周围的硅完全不同的结晶性质的金属材料，可以在半导体本体(12)的有源区(A)处局部地产生非常低的掩埋阻抗。通过使用根据本发明的方法是可行的。这种掩埋的低阻抗对于双极型晶体管和MOS晶体管两者提供实质上的优势。 | ||
| 申请公布号 | CN101208801B | 申请公布日期 | 2011.09.07 |
| 申请号 | CN200680022967.3 | 申请日期 | 2006.06.22 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 韦伯·D·范诺尔特;简·雄斯基;菲利浦·默尼耶-贝拉德;埃尔温·海曾 |
| 分类号 | H01L29/732(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/165(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/74(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/74(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/732(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种半导体器件(10)，具有衬底(11)和硅半导体本体(12)，该半导体器件(10)包括：具有晶体管(T)的有源区(A)；围绕有源区(A)的无源区(P)；从所述半导体本体(12)的表面下陷的金属材料导电区(2)；以及至少位于所述半导体本体(12)的有源区内的金属材料的掩埋导电区(1)，其特征在于所述掩埋导电区(1)包括：与所述金属材料导电区(2)相连的部分；以及所述有源区(A)中的包含金属材料的腔体(1B)，所述腔体(1B)延伸到与所述金属材料导电区(2)相连的部分并向着半导体本体(12)的表面延伸，从而所述掩埋导电区(1)的腔体(1B)距所述半导体本体(12)的表面比所述无源区(P)的厚度小的距离。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||