发明名称 半导序体
摘要 本发明任务是开发各种簇体技术及其器件,如:单序体生长的基本技术、半导序体外延生成技术、半导序体分子束外延技术、序体二极管、双极序体管、场效应序体管、序体振荡器和变频器等。利用半导序体替代现有的半导体,可以制作高性能、小型化、集成化的半导序体器件。其中光电子信息半导序体是整个光电子技术的基础和先导。它包括光源和信息获取材料、信息传输材料、信息存储材料、信息处理等材料。半导序体管的属性由其单序体的序格结构决定。序体某方向的纳格与运动电子的漂长相当或更小,则构点周期性的边界条件不被改变,必然导致它的光电转换和其他的各种性能发生根本性变化。这种体积效应;是序体与矿体的本质区别。各种序体结构多样性和组成的千变万化,决定了它们的各种各样的具体特性。
申请公布号 CN102174706A 申请公布日期 2011.09.07
申请号 CN201110001406.8 申请日期 2011.01.05
申请人 刘文祥 发明人 刘智和
分类号 C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;C30B23/02(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L29/73(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/808(2006.01)I;H01L29/812(2006.01)I;H01L29/74(2006.01)I 主分类号 C30B15/00(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 在熔融体中生长半导序体是单序体生长的基本技术,也称为直拉单序法。一小块籽序(纯单序体材料)接触到同种材料熔液表面上,周围施加一定压力(一般为1~1000个大气压),从熔融体中缓慢提拉。当缓慢提拉籽序时,在固液分界面上发生凝固。通常当序体被提拉时还会缓慢旋转来搅动熔融体,以获得更均匀的温度。沾有熔液的序体缓慢地冷凝,才能形成有规则的几何形状。适量的杂质原子,比如硼或磷,加到熔融体中,这样生长后的半导序体就人为地掺入了杂质原子。在硅序体生长时,如果在熔融硅中掺入杂质硼(或磷)原子,就可以获得P型(或N型)半导体硅序体。硅序体锭经过切割、研磨、抛光等步骤,获得抛光硅序体片。以抛光硅序体片为衬底,在它的上面就可以制造半导序体器件或集成电路的序体芯片。半导体生长之后,序体锭被机械地切削出合适的直径并做出沿轴向的一个平底面来表征序向。此平面与[110]方向垂直,,它是(110)平面。每个芯片沿着给定的序面制作,以使划片更容易些。接下来将序体棒切成片。机械双面打磨工艺能够获得一致厚度的平整序体片。表面还要用化学腐蚀去除操作的沾污。最后一步是抛光,得到光滑表面,在上面可以制作器件或进行后续的生长工艺。用半导簇体制成的半导器件有:二极管、放大器、振荡器、变频器、逻辑电路、运算电路和存储器等。
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