| 发明名称 | 透明导电膜蚀刻剂 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种透明导电膜蚀刻剂，所述导电膜为微细图案并在薄膜晶体管液晶显示器等平板显示器的制作工序中用于制作透明电极。本发明所提供的透明导电膜蚀刻剂由0.05～15重量％的含卤化合物、0.1～20重量％的氧化助剂、0.05～15重量％的蚀刻调节剂、0.1～15重量％的残渣抑制剂、0.3～10重量％的抗蚀剂和使整体蚀刻剂的总重量百分比为100％的水组成，其可消除对铜膜、铜合金膜、钼膜、钼合金膜或由上述膜层积的多层膜造成侵蚀的现象。 | ||
| 申请公布号 | CN102177219A | 申请公布日期 | 2011.09.07 |
| 申请号 | CN200980139930.2 | 申请日期 | 2009.11.12 |
| 申请人 | 韩国泰科诺赛美材料株式会社 | 发明人 | 李锡重;朴忠雨;李泰亨 |
| 分类号 | C09K13/00(2006.01)I;C09K13/04(2006.01)I | 主分类号 | C09K13/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 张晶 |
| 主权项 | 一种透明导电膜蚀刻剂，其特征在于，由0.05～15重量％的含卤化合物、0.1～20重量％的氧化助剂、0.05～15重量％的蚀刻调节剂、0.1～15重量％的残渣抑制剂、0.3～10重量％的抗蚀剂和使整体蚀刻剂的总重量百分比为100％的水组成。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||