发明名称 | 离子源弧电源打坑系统 | ||
摘要 | 一种离子源弧电源打坑系统,其主要包括:弧电源输出端并联的多只绝缘栅双极型晶体管和电阻组合的支路;由阶梯脉冲编码器和绝缘栅双极型晶体管触发板构成的触发系统;阶梯脉冲编码器设置有外部控制其脉冲输出的接口,用于接收离子源引出高压开通和打火时刻的信号。本实用新型大大简化控制触发脉冲的设计,不同打坑时间通过软件设置,使得整个系统的操作更加的简单,保证了对打坑时间的快速性的要求,能控制弧电源输出电流在微妙至毫秒的时间范围内被旁路20%~30%,满足了在离子源引出高压投入或打火时刻与弧电流相匹配的要求。 | ||
申请公布号 | CN201967234U | 申请公布日期 | 2011.09.07 |
申请号 | CN201020691889.X | 申请日期 | 2010.12.30 |
申请人 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 发明人 | 胡纯栋;蒋才超;刘胜;刘智民 |
分类号 | H05H1/48(2006.01)I | 主分类号 | H05H1/48(2006.01)I |
代理机构 | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人 | 余成俊 |
主权项 | 一种离子源弧电源打坑系统,其主要包括:弧电源输出端并联的多只绝缘栅双极型晶体管和电阻组合的支路;由阶梯脉冲编码器和绝缘栅双极型晶体管触发板构成的触发系统;阶梯脉冲编码器设置有外部控制其脉冲输出的接口,用于接收离子源引出高压开通和打火时刻的信号。 | ||
地址 | 230031 安徽省合肥市蜀山湖路350号 |