发明名称 离子源弧电源打坑系统
摘要 一种离子源弧电源打坑系统,其主要包括:弧电源输出端并联的多只绝缘栅双极型晶体管和电阻组合的支路;由阶梯脉冲编码器和绝缘栅双极型晶体管触发板构成的触发系统;阶梯脉冲编码器设置有外部控制其脉冲输出的接口,用于接收离子源引出高压开通和打火时刻的信号。本实用新型大大简化控制触发脉冲的设计,不同打坑时间通过软件设置,使得整个系统的操作更加的简单,保证了对打坑时间的快速性的要求,能控制弧电源输出电流在微妙至毫秒的时间范围内被旁路20%~30%,满足了在离子源引出高压投入或打火时刻与弧电流相匹配的要求。
申请公布号 CN201967234U 申请公布日期 2011.09.07
申请号 CN201020691889.X 申请日期 2010.12.30
申请人 中国科学院等离子体物理研究所 发明人 胡纯栋;蒋才超;刘胜;刘智民
分类号 H05H1/48(2006.01)I 主分类号 H05H1/48(2006.01)I
代理机构 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 代理人 余成俊
主权项 一种离子源弧电源打坑系统,其主要包括:弧电源输出端并联的多只绝缘栅双极型晶体管和电阻组合的支路;由阶梯脉冲编码器和绝缘栅双极型晶体管触发板构成的触发系统;阶梯脉冲编码器设置有外部控制其脉冲输出的接口,用于接收离子源引出高压开通和打火时刻的信号。
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