| 发明名称 | 异形陶瓷的烧制方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种异形陶瓷的烧制方法，依次包括如下步骤：采用透气性托座提供异形陶瓷胎体；对上述胎体在700～1000℃下进行第一次烧成，去除胎体中的水气和有机物杂质，增加胎体表面强度；提供与异形陶瓷胎体相匹配的陶瓷托座，所述陶瓷托座表面喷涂有氧化铝粉层；对上述胎体在1200～1350℃下进行第二次烧成；对上述胎体表面上釉后，在950～1050℃下采用吊烧或顶烧方式进行第三次烧成。本发明提供的异形陶瓷的烧制方法，在烧制过程中通过增加透气性托座和陶瓷托座，能够有效防止异形陶瓷烧制时变形损坏。 | ||
| 申请公布号 | CN102173752A | 申请公布日期 | 2011.09.07 |
| 申请号 | CN201110029720.7 | 申请日期 | 2011.01.27 |
| 申请人 | 上海高诚艺术包装有限公司 | 发明人 | 蔡世山 |
| 分类号 | C04B33/34(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I | 主分类号 | C04B33/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人 | 翁若莹 |
| 主权项 | 一种异形陶瓷的烧制方法，其特征在于，所述方法依次包括如下步骤：采用透气性托座提供异形陶瓷胎体；对上述胎体在700～1000℃下进行第一次烧成，去除胎体中的水气和有机物杂质，增加胎体表面强度；提供与异形陶瓷胎体相匹配的陶瓷托座，所述陶瓷托座表面喷涂有氧化铝粉层；对上述胎体在1200～1350℃下进行第二次烧成；对上述胎体表面上釉后，在950～1050℃下采用吊烧或顶烧方式进行第三次烧成。 | ||
| 地址 | 201108 上海市闵行区光华路145号 | ||