发明名称 具有双接触面的静电吸盘
摘要 本实用新型涉及一种具有双接触面的静电吸盘,用于产生静电引力来吸持及固定晶片,包含基座和设置在基座顶部的介电层;介电层上放置有晶片,其特征在于,介电层包含若干分区,分别通过粗糙度不同的平面或是凹凸不平的表面与晶片接触,因而能够分别控制晶片不同区域的温度,在与平面分区接触的晶片区域能够加速散热,获得较低的温度,而在与凹凸表面的分区接触的晶片区域获得较高的温度,因此能够对晶片不同区域的分别进行控制。本实用新型由于通过凹凸不平的分区表面减少了与晶片接触的面积,有效减少了残余静电荷的积聚,能够使晶片更快地从静电吸盘上释放。
申请公布号 CN201966192U 申请公布日期 2011.09.07
申请号 CN201020636343.4 申请日期 2010.12.01
申请人 中微半导体设备(上海)有限公司 发明人 倪图强;吴狄;荒见淳一
分类号 H01L21/683(2006.01)I 主分类号 H01L21/683(2006.01)I
代理机构 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 代理人 张静洁;徐雯琼
主权项 一种具有双接触面的静电吸盘,用于产生静电引力来吸持及固定晶片(30),包含基座(10)和设置在基座(10)顶部的介电层(20);所述介电层(20)上放置有晶片(30),其特征在于,所述介电层(20)包含若干分区;其中若干所述分区通过设置的平面与所述晶片(30)接触;另外若干所述分区分别设置有凹凸不平的表面与所述晶片(30)接触,使介电层(20)上所述若干分区与所述晶片(30)之间的空隙不同。
地址 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号