太赫兹表面等离子体波温度控制开关及其控制方法

摘要

太赫兹表面等离子体波温度控制开关及控制方法涉及到一种太赫兹表面等离子体波温度控制装置，和利用本征半导体等离子体频率随温度变化的特性调制太赫兹表面等离子体波的一种方法。该开关包括一个等离子体频率在常温下处于太赫兹波段的本征半导体晶片(2)、两个平行放置的刀片(3)、以及一个温度控制器(5)，两个刀片(3)垂直于本征半导体晶片(2)，两个刀片(3)的刀口离本征半导体晶片(2)上表面的距离小于最大频率的太赫兹表面等离子体波(4)在空气中的衰减距离，采用刀片(3)将太赫兹波转化为太赫兹表面等离子体波，以及过程相反的转化，通过温度控制器(5)控制本征半导体晶片(2)温度，从而改变该本征半导体的载流子浓度。

主权项

一种太赫兹表面等离子体波温度控制开关，其特征在于该开关包括一个等离子体频率在常温下处于太赫兹波段的本征半导体晶片(2)、两个平行放置的刀片(3)、以及一个温度控制器(5)，两个刀片(3)垂直于本征半导体晶片(2)，两个刀片(3)的刀口离本征半导体晶片(2)上表面的距离小于最大频率的太赫兹表面等离子体波(4)在空气中的衰减距离，两个刀片(3)之间的距离小于最大频率的太赫兹表面等离子体波(4)在半导体表面传播距离；本征半导体晶片(2)的厚度大于最小频率的太赫兹表面等离子体波(4)在半导体中的衰减距离；温度控制器(5)紧贴本征半导体晶片(2)的下表面，温度控制器(5)的温度调节范围应使得本征半导体晶片(2)的等离子体频率能够随着温度变化大于和小于所传播的表面等离子体波频率。