发明名称 |
高密度系统级芯片封装结构 |
摘要 |
本发明提供一种高密度系统级芯片封装结构,包括:芯片和无源器件,所述芯片和无源器件具有功能面;固化的封料层,位于所述芯片和无源器件的远离所述功能面的一侧,所述固化的封料层将所述芯片和无源器件进行封装。本发明提高了封装的集成度,降低了系统内电阻、电感等干扰因素,也更能顺应半导体封装轻薄短小的趋势要求。 |
申请公布号 |
CN102176452A |
申请公布日期 |
2011.09.07 |
申请号 |
CN201110032390.7 |
申请日期 |
2011.01.30 |
申请人 |
南通富士通微电子股份有限公司 |
发明人 |
陶玉娟;石磊;李红雷 |
分类号 |
H01L25/16(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/538(2006.01)I |
主分类号 |
H01L25/16(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种高密度系统级芯片封装结构,其特征在于,包括:芯片和无源器件,所述芯片和无源器件具有功能面;固化的封料层,位于所述芯片和无源器件的远离所述功能面的一侧,所述固化的封料层将所述芯片和无源器件进行封装。 |
地址 |
226006 江苏省南通市崇川区崇川路288号 |