发明名称 使用介电外壳增强半导体装置的可靠性
摘要 本发明公开了一种使用介电外壳增强半导体装置的可靠性的方法和装置。所述方法和装置涉及提高将集成电路(IC)芯片连接到衬底的焊接接缝的可靠性。所述方法包括以下步骤:将可光成像永久介电材料层涂敷到半导体装置的上表面;以及使可光成像永久介电材料层图案化以在每一个部件上方具有开口。该方法还包括以下步骤:将助焊材料分配或丝网印刷到永久介电材料开口中;以及将不含有助焊剂的焊料涂敷到助焊材料的上表面。在一个或多个实施例中,该方法还包括以下步骤:将半导体装置加热到适于焊料进行回流的回流温度,从而使焊料顺应永久介电材料开口的侧壁以形成保护密封件。
申请公布号 CN102177575A 申请公布日期 2011.09.07
申请号 CN200980139878.0 申请日期 2009.08.07
申请人 弗利普芯片国际有限公司 发明人 约翰·J·H·雷什;迈克尔·E·约翰逊;盖伊·F·伯吉斯;安东尼·P·柯蒂斯;斯图尔特·利希滕塔尔
分类号 H01L21/60(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I 主分类号 H01L21/60(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 刘晓峰
主权项 一种使用介电外壳增强半导体装置的可靠性的方法,所述方法包括以下步骤:将可光成像永久介电材料层涂敷到所述半导体装置的上表面;使所述可光成像永久介电材料层图案化,以在每一个部件上方都具有开口;将助焊材料分配或丝网印刷到所述永久介电材料的开口;将不含有助焊剂的焊料涂敷到所述助焊材料的上表面;以及将所述半导体装置加热到适于所述焊料进行回流的回流温度,从而使所述焊料顺应所述永久介电材料的开口的侧壁以形成保护密封件。
地址 美国亚利桑那州