发明名称 |
锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 |
摘要 |
一种锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法,包括如下步骤:步骤1:选择一衬底;步骤2:在衬底上依次生长n+型GaAs层和本征GaAs缓冲层;步骤3:在本征GaAs缓冲层上沉积一锑层;步骤4:在锑层上依次生长多个周期的量子点结构、本征GaAs层、p型GaAs层、p+型GaAs层、p+型Al0.8Ga0.2As层和p+型GaAs层;步骤5:在p+型GaAs层上蒸发上金属电极;步骤6:刻蚀上金属电极,使上金属电极形成网状;步骤7:在网状上金属电极上及裸露的p+型GaAs层上生长减反层;步骤8:剥离减反层,使上金属电极裸露;步骤9:在衬底的下表面制作下金属电极,形成电池组件;步骤10:对电池组件进行封装,完成太阳电池的制作。 |
申请公布号 |
CN102176490A |
申请公布日期 |
2011.09.07 |
申请号 |
CN201110044608.0 |
申请日期 |
2011.02.16 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
杨晓光;杨涛 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
汤保平 |
主权项 |
一种锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法,包括如下步骤:步骤1:选择一衬底;步骤2:在衬底上依次生长n+型GaAs层和本征GaAs缓冲层;步骤3:在本征GaAs缓冲层上沉积一锑层;步骤4:在锑层上依次生长多个周期的量子点结构、本征GaAs层、p型GaAs层、p+型GaAs层、p+型Al0.8Ga0.2As层和p+型GaAs层;步骤5:在p+型GaAs层上蒸发上金属电极;步骤6:刻蚀上金属电极,使上金属电极形成网状;步骤7:在网状上金属电极上及裸露的p+型GaAs层上生长减反层;步骤8:剥离掉覆盖在上金属电极表面的减反层,使上金属电极裸露;步骤9:在衬底的下表面制作下金属电极,形成电池组件;步骤10:对电池组件进行封装,完成太阳电池的制作。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |