发明名称 锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法
摘要 一种锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法,包括如下步骤:步骤1:选择一衬底;步骤2:在衬底上依次生长n+型GaAs层和本征GaAs缓冲层;步骤3:在本征GaAs缓冲层上沉积一锑层;步骤4:在锑层上依次生长多个周期的量子点结构、本征GaAs层、p型GaAs层、p+型GaAs层、p+型Al0.8Ga0.2As层和p+型GaAs层;步骤5:在p+型GaAs层上蒸发上金属电极;步骤6:刻蚀上金属电极,使上金属电极形成网状;步骤7:在网状上金属电极上及裸露的p+型GaAs层上生长减反层;步骤8:剥离减反层,使上金属电极裸露;步骤9:在衬底的下表面制作下金属电极,形成电池组件;步骤10:对电池组件进行封装,完成太阳电池的制作。
申请公布号 CN102176490A 申请公布日期 2011.09.07
申请号 CN201110044608.0 申请日期 2011.02.16
申请人 中国科学院半导体研究所 发明人 杨晓光;杨涛
分类号 H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 汤保平
主权项 一种锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法,包括如下步骤:步骤1:选择一衬底;步骤2:在衬底上依次生长n+型GaAs层和本征GaAs缓冲层;步骤3:在本征GaAs缓冲层上沉积一锑层;步骤4:在锑层上依次生长多个周期的量子点结构、本征GaAs层、p型GaAs层、p+型GaAs层、p+型Al0.8Ga0.2As层和p+型GaAs层;步骤5:在p+型GaAs层上蒸发上金属电极;步骤6:刻蚀上金属电极,使上金属电极形成网状;步骤7:在网状上金属电极上及裸露的p+型GaAs层上生长减反层;步骤8:剥离掉覆盖在上金属电极表面的减反层,使上金属电极裸露;步骤9:在衬底的下表面制作下金属电极,形成电池组件;步骤10:对电池组件进行封装,完成太阳电池的制作。
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