发明名称 电阻器组合物及厚膜电阻器
摘要 提供了一种排除了由导电性成分和玻璃带来的有害铅成分,能够形成在宽的电阻范围内TCR特性、电流杂音特性、耐电压特性、热循环测试后的稳定性等优异的厚膜电阻器的钌系电阻器组合物和由该组合物形成的无铅电阻器。一种电阻器组合物,含有不含铅成分的钌系导电性成分、玻璃的碱度(Po值)为0.4~0.9的不含铅成分的玻璃和有机载体,其特征在于,对其进行烧结得到的厚膜电阻器中存在MSi2Al2O8结晶(M:Ba和/或Sr)。
申请公布号 CN1971771B 申请公布日期 2011.09.07
申请号 CN200610172901.4 申请日期 2006.09.29
申请人 昭荣化学工业株式会社 发明人 远藤忠;真岛浩;金作整;田中哲也;山添干夫
分类号 H01C7/00(2006.01)I;H01C17/30(2006.01)I;H01C17/06(2006.01)I;H01B1/00(2006.01)I 主分类号 H01C7/00(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 陈昕
主权项 一种电阻器组合物,含有不含铅成分的钌系导电性成分、玻璃的碱度Po值是0.4~0.9的不含铅成分的玻璃、和有机载体,上述玻璃为非晶玻璃或部分结晶化的玻璃,其中,所述非晶玻璃或部分结晶化的玻璃含脊钡和/或锶和铝和硅作为必须成分,且按照氧化物换算含有B2O3:5~30mol%;Al2O3:1~20mol%;CaO、BaO和SrO的合计:20~60mol%;SiO2:20~50mol%;ZrO2:0~20mol%;R2O:0~10mol%,其中R为碱金属元素,其特征在于,对所述电阻器组合物进行烧结得到的厚膜电阻器中存在MSi2Al2O8结晶,其中M为Ba和/或Sr。
地址 日本东京都