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发明名称 AlxGayIn1-x-yN CRYSTAL SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
摘要
申请公布号 EP1970946(A4) 申请公布日期 2011.09.07
申请号 EP20060811820 申请日期 2006.10.16
申请人 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 发明人 FUJIWARA, SHINSUKE;UEMURA, TOMOKI;OKAHISA, TAKUJI;UEMATSU, KOJI;OKUI, MANABU;NISHIOKA, MUNEYUKI;HASHIMOTO, SHIN
分类号 H01L21/20;C30B29/38;H01L29/201;H01L33/00;H01L33/32 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
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