发明名称 |
基于梯度压磁薄膜与介电陶瓷的吸波器件 |
摘要 |
基于梯度压磁薄膜与介电陶瓷的吸波器件,该器件由梯度压磁薄膜和介电陶瓷组成。梯度压磁薄膜中含有Ti元素和N元素,Ti元素质量百分比为15%~85%,N元素质量百分比为0%~15%。梯度薄膜层厚度为50~160μm,介电陶瓷层百度为0~27μm。本发明通过设计梯度薄膜层和介电陶瓷层对吸波器件进行结构和材料设计,工艺简单,操作方便,该吸波器件具有较好的吸波性能,能满足工程技术领域对吸收电磁波器件的要求。本发明为梯度材料赋予了吸波特性,并将应用于带通滤波器、天线工程和通讯领域。 |
申请公布号 |
CN102176815A |
申请公布日期 |
2011.09.07 |
申请号 |
CN201110000436.7 |
申请日期 |
2011.01.04 |
申请人 |
北京理工大学 |
发明人 |
李永;舒畅 |
分类号 |
H05K9/00(2006.01)I;C04B35/468(2006.01)I;C04B35/47(2006.01)I |
主分类号 |
H05K9/00(2006.01)I |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
基于梯度压磁薄膜与介电陶瓷的吸波器件,其特征在于,包括梯度压磁薄膜层和介电陶瓷层,所述梯度压磁薄膜层中有质量百分比大于15%,小于85%的Ti元素以及质量百分比大于0%小于15%的N元素。 |
地址 |
100081 北京市海淀区中关村南大街5号 |