基于标准CMOS工艺的多层浮栅全固态pH值传感器

摘要

一种基于标准CMOS工艺的多层浮栅全固态pH值传感器，包括场效应管漏区和场效应管源区构成的PMOS场效应管，所述PMOS场效应管与氧化层连接，所述氧化层上覆盖多层悬浮栅极结构，所述多层悬浮栅极结构自上而上依次包括连接层、金属1层、通孔层和金属2层，所述多层悬浮栅极结构上覆盖二氧化硅和氮化硅复合的氢离子敏感层。本发明提供一种实现与标准CMOS工艺兼容、便于集成化的基于标准CMOS工艺的多层浮栅全固态pH值传感器。

主权项

一种基于标准CMOS工艺的多层浮栅全固态pH值传感器，包括场效应管漏区和场效应管源区构成的PMOS场效应管，所述PMOS场效应管与氧化层连接，其特征在于：所述氧化层上覆盖多层悬浮栅极结构，所述多层悬浮栅极结构自上而上依次包括连接层、金属1层、通孔层和金属2层，所述多层悬浮栅极结构上覆盖二氧化硅和氮化硅复合的氢离子敏感层。