晶格匹配体系上裁剪带隙波长提高光电探测器性能的方法

摘要

本发明涉及一种晶格匹配体系上裁剪带隙波长提高光电探测器性能的方法，包括：采用分子束外延法或金属有机物气相外延法，在衬底上生长晶格匹配的缓冲层、光吸收层和宽禁带帽层得到光电探测器件外延结构；其中，生长过程中对光吸收层的带隙进行裁剪设定，在满足应用中对光电探测器长波端截止波长要求的前提下选取宽带隙。本发明材料生长方法简单，通过对光电探测器光吸收层带隙的裁剪设定，在基本不改变原有器件设计的前提下显著改善器件性能，探测率改善3倍以上；既适合一些不同种类的III-V族化合物材料体系光电探测器件的制作，也适合其他类型的光电器件及电子器件的制作及拓展到其他材料体系，具有良好的应用前景。

主权项

一种晶格匹配体系上裁剪带隙波长提高光电探测器性能的方法，包括：采用分子束外延法或金属有机物气相外延法，在衬底上生长晶格匹配的缓冲层、光吸收层和宽禁带帽层得到光电探测器件外延结构；其中，生长过程中对光吸收层的带隙进行裁剪设定，在满足应用中对光电探测器长波端截止波长要求的前提下选取宽带隙。