| 发明名称 | 表面粗糙化方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种在半导体基片(2)中形成粗糙界面(12)的方法，所述方法包括：在所述基片的表面(4)上形成氧化物或能够被氧化的材料(6)的无规性区域(8)或者在氧化物或能够被氧化的材料(6)之上的无规性区域(8)，通过所述材料或所述氧化物(6)和部分所述半导体基片的热氧化、或者通过穿过所述材料或所述氧化物(6)进行的部分所述半导体基片的热氧化而在所述半导体基片(2)之中或之上形成粗糙度。 | ||
| 申请公布号 | CN101578231B | 申请公布日期 | 2011.09.07 |
| 申请号 | CN200880001427.6 | 申请日期 | 2008.01.10 |
| 申请人 | 硅绝缘体技术有限公司 | 发明人 | 伯纳德·阿斯帕;克里斯特勒·拉加赫·布兰查德;尼古拉斯·苏萨贝 |
| 分类号 | H01L21/30(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 丁香兰;庞东成 |
| 主权项 | 一种在半导体基片(2)中形成粗糙界面(12、22、22’、32)的方法，所述方法包括：‑在所述基片的表面(4)上形成能够被氧化和/或不屏蔽氧化的材料(6、14、14’、36)的无规性区域(8、38)，‑通过所述材料(6、14、14’、36)和部分所述半导体基片的热氧化或穿过所述材料(6、14、14’、36)进行的部分所述半导体基片的热氧化而形成热氧化物(10、20、20’、40)，从而在所述热氧化物和所述半导体基片(2)之间形成粗糙界面。 | ||
| 地址 | 法国伯涅尼 | ||