发明名称 一种压电厚膜驱动的横向MEMS微驱动器及其制作方法
摘要 本发明涉及一种压电厚膜驱动的横向MEMS微驱动器及其制作方法,属于智能材料与结构技术领域。该微驱动器包括由衬底形成的“T”形截面悬臂梁和两个PZT压电厚膜驱动层;两个压电厚膜驱动层位于“T”形截面悬臂梁的上表面并呈对称分布,其中PZT压电厚膜驱动层的厚度大于1μm。本发明的微驱动器结构简单,无额外运动转换机构,易于高压电性能PZT厚膜的集成;采用体硅加工工艺制作,结构释放难度小,制作可靠性高;压电式横向MEMS微驱动器的所有制作工艺与MEMS工艺兼容,具有集成化、批量化制造的潜力,可广泛用于微纳操纵、微纳机械运动行走、电磁信号/微纳流体的开关/截止阀、振动式传感器等领域。
申请公布号 CN102176506A 申请公布日期 2011.09.07
申请号 CN201110083195.7 申请日期 2011.04.02
申请人 北方工业大学 发明人 赵全亮;何广平;谭晓兰;黄昔光;袁俊杰;曹茂盛
分类号 H01L41/09(2006.01)I;H01L41/22(2006.01)I;B81B3/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I 主分类号 H01L41/09(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种压电厚膜驱动的横向MEMS微驱动器,其特征在于:包括由衬底形成的“T”形截面悬臂梁和两个PZT压电厚膜驱动层;两个压电厚膜驱动层位于“T”形截面悬臂梁的上表面并呈对称分布,其中PZT压电厚膜驱动层的厚度大于1μm。
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