用于半导体发光装置的电接触件

摘要

一种用于形成用于半导体发光装置的电接触件的方法。所述发光装置具有第一导电型的第一层，覆盖所述第一层的用于发光的有源层，和覆盖所述有源层的具有第二导电型的第二层。所述方法包括至少形成通过第二层和有源层的第一和第二细长电接触件以提供与第一层的电连接，所述第一和第二接触件彼此成角度定向，所述第一接触件具有与所述第二接触件接近的第一末端，所述第一末端与所述第二接触件充分间隔开，以便当通过所述接触件向所述第一层施加电流时，在大体位于第一末端和第二接触件之间的区域中的来自第一接触件的第一末端和所述第二接触件的电流作用使得所述区域中的电流密度近似等于沿所述第一和第二接触件的其它处的电流密度。

主权项

一种形成用于半导体发光装置的电接触件的方法，所述发光装置包括矩形半导体结构(100，195)，所述半导体结构具有第一导电型的第一层(102)，覆盖所述第一层的用于发光的有源层(104)，和覆盖所述有源层的第二导电型的第二层(106)，所述方法包括：沿所述半导体结构的第一外边界(116)，至少形成第一细长电接触件(108)；沿着所述半导体结构的相邻的第二外边界(118)，至少形成第二细长电接触件(110)；形成所述第一和第二细长电接触件通过第二层和有源层以提供与第一层的电连接，所述第一接触件的第一末端(112)靠近所述第二接触件的第一末端(120)并且两个所述第一末端(112，120)靠近所述半导体结构的第一角(121)，所述第一接触件的第一末端与所述第二接触件的第一末端充分间隔开，以便当通过所述接触件向所述第一层施加电流时，在位于两个所述第一末端(112，120)之间的第二单元区域(152)中的来自第一接触件的第一末端和所述第二接触件的第一末端的电流作用使得所述区域中的电流密度近似等于沿所述第一(108)或第二接触件(110)的第一单元区域(150)中的电流密度。