一种功率型LED封装用的有机硅材料及其合成方法

摘要

本发明公开了一种功率型LED封装用的有机硅材料及其合成方法，该有机硅材料由A组分和B组分质量比按1∶1～1∶20配合而成。其中，所述的A组分为乙烯基硅高聚物与固化催化剂的混合物，所述的乙烯基硅高聚物包括有乙烯基硅树脂和含乙烯基的聚硅氧烷；所述的B组分为乙烯基氢基硅树脂、聚氢基硅氧烷与抑制剂组成。所述的有机机硅材料具有较高的折光率，高透明度、优良的耐紫外老化和热老化能力等特点，是功率型LED的理想封装材料。本发明还公开了一种功率型LED封装用的有机硅材料的合成方法，使树脂的固化更充分，有效提高了树脂交联后的透光率和硬度。

主权项

一种功率型LED封装用的有机硅材料，其特征在于由A组分和B组分质量比按1∶1～1∶20配合而成；其中，所述的A组分为乙烯基硅高聚物与固化催化剂的混合物，所述的乙烯基硅高聚物包括有乙烯基硅树脂和含乙烯基的聚硅氧烷；所述的B组分为乙烯基氢基硅树脂、聚氢基硅氧烷与抑制剂组成；所述的乙烯基硅树脂结构如下：(R3SiO0.5)m(R2SiO)n(RSiO1.5)x(SiO2)y上式所述乙烯基硅树脂是由两种或两种以上结构为RzSi(OR1)4‑z或RzSiCl4‑z的硅单体混合缩聚而成，z为0～4，但不等于4，其中R为1～6碳的烷基、链烯基或芳基，R1为1～4碳的烷基；所述的含乙烯基的聚硅氧烷结构式如下：CH2＝CHSi(CH3)2‑[O‑Si(CH3)2]a‑[O‑SiPh2]b‑[O‑SiR2(CH3)]c‑OSi(CH3)2CH＝CH2式中a＝60～360，b＝0～200，c＝0～60，R2为‑CH3或‑CH＝CH2；所述的乙烯基氢基硅树脂结构如下：(R33SiO0.5)i(R32SiO)j(R3SiO1.5)k(SiO2)l上式所述乙烯基氢基硅树脂是由两种或两种以上结构为R3gSi(OR4)4‑g或R3gSiCl4‑g的硅单体混合缩聚而成，g为0～4，但不等于4，其中R3为氢基或1～6碳的烷基、链烯基、芳基，R4为1～4碳的烷基；所述的聚氢基硅烷结构式如下：Si(CH3)3‑[O‑Si(CH3)2]d‑[O‑SiPh2]e‑[O‑SiH(CH3)]f‑O‑Si(CH3)3式中d＝7～240，e＝0～130，f＝1～40。