半导体器件

摘要

为了实现更高可靠性TFT和高可靠性半导体器件，本发明的NTFT在半导体层中具有沟道形成区、n型第一、第二和第三杂质区。第二杂质区是与栅极的锥部交叠的低浓度杂质区且栅绝缘膜置于第二杂质区与栅极之间，并且第二杂质区的杂质浓度从沟道形成区向第一杂质区逐渐增高。而且，第三杂质区是不与栅极交叠的低浓度杂质区。另外，相同衬底上的多个NTFTs应该分别具有不同的第二杂质区长度，这取决于工作电压的差别。即，当第二TFT的工作电压高于第一TFT的工作电压时，在第二TFT上的第二杂质区的长度比在第一TFT上的长。

主权项

一种电子设备，具有半导体器件，所述半导体器件包括：形成在具有无机绝缘膜的衬底上的半导体层，所述半导体层包含至少第一沟道区、第二沟道区、源区和漏区、四个第二杂质区(41，42，43，44)以及两个第三杂质区(45，46)；和形成在所述半导体层上的用于形成双栅结构的两个栅极，在所述两个栅极和所述半导体层之间配置了栅绝缘膜，其中所述两个栅极中的每个具有两个锥部，其中所述四个第二杂质区(41，42，43，44)与所述两个栅极的锥部重叠，并且所述四个第二杂质区(41，42，43，44)中的杂质浓度分布对应所述两个栅极的锥部的膜厚变化，其中所述两个第三杂质区(45，46)中的每个形成在所述源区或所述漏区与所述四个第二杂质区中之一之间，并且所述两个第三杂质区(45，46)不与所述两个栅极重叠，其中所述四个第二杂质区(41，42，43，44)中的两个设置成将所述第一沟道区夹在中间，且所述四个第二杂质区中的另两个设置成将所述第二沟道区夹在中间，以及其中所述两个栅极中与所述四个第二杂质区(41，42，43，44)重叠的部分中的每个具有比所述两个栅极中在所述第一沟道区与所述第二沟道区上方的部分的厚度更薄的厚度。