形成抗蚀刻保护层的方法

摘要

本发明揭示一种在半导体基板上形成具有强化蚀刻阻抗的图案化光阻的方法。首先在基板上形成图案化光阻，在图案化光阻之上形成含硅聚合物层，接着以热处理工艺在图案化光阻及含硅聚合物层之间形成连接两层的交联抗蚀刻保护层，之后，移除剩余的含硅聚合物层，再以等离子体处理增加交联抗蚀刻保护层及图案化光阻的蚀刻阻抗。因此，本发明能有效地制造精细的半导体尺寸，以及提供光阻图案额外的蚀刻阻抗。

主权项

一种形成抗蚀刻保护层的方法，包括：在基板上形成至少一图案化光阻；在该图案化光阻上形成含硅聚合物层；进行热处理工艺，以在位于该图案化光阻及含硅聚合物层之间的该含硅聚合物层中形成抗蚀刻保护层；移除剩余的该含硅聚合物层；以及进行等离子体处理，以增加该抗蚀刻保护层及该图案化光阻的蚀刻阻抗，该等离子体处理包括氩气、氮气或氢气等离子体处理。