一种存储装置与用以操作此装置的方法

摘要

本发明公开了一种存储装置与用以操作此装置的方法。在用以操作存储单元的方法中，存储单元包括相变材料且可编程至包括高电阻状态与较低电阻状态的多个电阻状态。操作存储单元的方法包括施加第一偏压配置至存储单元以建立较低电阻状态，其中第一偏压配置包括第一电压脉冲。此方法更包括决定存储单元是否处于较低电阻状态，若存储单元未处于较低电阻状态，则接着施加第二偏压配置至存储单元。第二偏压配置包括第二电压脉冲，且第二电压脉冲的脉冲高度大于第一电压脉冲的脉冲高度。

主权项

一种操作存储单元的方法，所述存储单元包括相变材料，该相变材料可编程至包括高电阻状态与较低电阻状态的多个电阻状态，其特征在于，包括：施加第一偏压配置至所述存储单元以建立所述较低电阻状态，所述第一偏压配置包括第一电压脉冲；决定所述存储单元是否处于所述较低电阻状态；以及若所述存储单元未处于所述较低电阻状态，则接着施加第二偏压配置至所述存储单元以建立所述较低电阻状态，所述第二偏压配置包括第二电压脉冲，其中所述第二电压脉冲的脉冲高度大于所述第一电压脉冲的脉冲高度。