| 发明名称 | FZO/金属/FZO透明导电薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明的FZO/金属/FZO透明导电薄膜，在衬底上自下而上依次包括掺氟氧化锌薄膜层、金属薄膜层和掺氟氧化锌薄膜层。其制备是采用射频磁控溅射法生长FZO薄膜，采用直流磁控溅射法生长金属薄膜。本发明方法所用设备简单，可控性强，制备出来的薄膜光学性能和电学性能优良，重复性好。 | ||
| 申请公布号 | CN102174689A | 申请公布日期 | 2011.09.07 |
| 申请号 | CN201110082032.7 | 申请日期 | 2011.04.01 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 朱丽萍;贝亮亮 |
| 分类号 | C23C14/08(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人 | 韩介梅 |
| 主权项 | FZO/金属/FZO透明导电薄膜，其特征是衬底上自下而上依次包括掺氟氧化锌薄膜层、金属薄膜层和掺氟氧化锌薄膜层。 | ||
| 地址 | 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 | ||