发明名称 |
像素结构及其制作方法 |
摘要 |
本发明公开一种像素结构及其制作方法。此像素结构包括基板、薄膜晶体管、第一电极、平坦层以及第二电极。薄膜晶体管配置于基板上。薄膜晶体管具有漏极。第一电极配置于基板上,且第一电极覆盖并且接触漏极。平坦层配置于基板上,并且覆盖薄膜晶体管以及第一电极。平坦层具有对应于第一电极的凹陷。第二电极配置于平坦层上。第二电极包括相互平行的多个条状电极图案。这些条状电极图案位于凹陷内。 |
申请公布号 |
CN102176458A |
申请公布日期 |
2011.09.07 |
申请号 |
CN201110045946.6 |
申请日期 |
2011.02.25 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
李振岳;游镇宇;彭佳添 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;G02F1/1343(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
彭久云 |
主权项 |
一种像素结构,包括:基板;薄膜晶体管,配置于该基板上,该薄膜晶体管具有漏极;第一电极,配置于该基板上,且该第一电极覆盖并且接触该漏极;平坦层,配置于该基板上,并且覆盖该薄膜晶体管以及该第一电极,该平坦层具有对应于该第一电极的凹陷;以及第二电极,配置于该平坦层上,该第二电极包括相互平行的多个条状电极图案,该多个条状电极图案位于该凹陷内。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |