| 发明名称 | 一种测量SiC晶体中微管密度的方法 | ||
| 摘要 | 一种测量SiC晶体中微管密度的方法，包括将SiC晶体的被测表面划分为若干正方形小区，使每个小区的面积为5×5mm2，并对小区编号；取小区的中心点作为测量点，用显微镜测量并记录每个视野区域的微管个数，可得被测小区的微管密度为：微管个数/视野面积；对每个被测小区测量得到的微管个数进行求和，得到视野面积内SiC晶片被测表面的微管总数，进而得到整个SiC晶片的微管密度。本发明的方法不用采取同步辐射光源或者腐蚀方案，用显微镜就可实现，具有全片观测、非接触、非破坏性的特点。 | ||
| 申请公布号 | CN102175565A | 申请公布日期 | 2011.09.07 |
| 申请号 | CN201110021059.5 | 申请日期 | 2011.01.19 |
| 申请人 | 山东大学 | 发明人 | 王翎;彭燕;徐现刚;胡小波;宁丽娜 |
| 分类号 | G01N9/00(2006.01)I | 主分类号 | G01N9/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人 | 王绪银 |
| 主权项 | 1.一种测量SiC晶体中微管密度的方法，其特征在于，方法如下：1)将SiC晶体的被测表面划分为若干正方形小区，使每个小区的面积为5×5mm<sup>2</sup>，并对小区编号；2)取小区的中心点作为测量点，用显微镜测量并记录每个视野区域的微管个数，可得被测小区的微管密度为：微管个数/视野面积；3)对每个被测小区测量得到的微管个数进行求和，得到视野面积内SiC晶片被测表面的微管总数，按以下公式得到整个SiC晶片的微管密度：<img file="FSA00000421508900011.GIF" wi="770" he="120" /> | ||
| 地址 | 250100 山东省济南市历城区山大南路27号 | ||