| 发明名称 | MOS管栅极氧化层累积厚度的测量方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种MOS管栅极氧化层累积厚度的测量方法，包括以下步骤：S1，调整测试电压，使其接近栅极与衬底之间的击穿电压；S2，根据S1中所述的测试电压测量栅极氧化层的电容值；S3，根据S2中所述的电容值计算栅极氧化层的积累厚度。所述栅极氧化层的积累厚度计算公式为Tox＝ε×ε0×A/Cox，其中，Tox为栅极氧化层的累积厚度，Cox为栅极氧化层的电容值，ε为真空介电常数，ε0为SiO2的介电常数，A为电容面积。本发明MOS管栅极氧化层累积厚度的测量方法，适用于厚度较薄的MOS管栅极氧化层的测量。 | ||
| 申请公布号 | CN102176421A | 申请公布日期 | 2011.09.07 |
| 申请号 | CN201110061641.4 | 申请日期 | 2011.03.15 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 韦敏侠 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;G01R31/26(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种MOS管栅极氧化层累积厚度的测量方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，调整测试电压，使其接近栅极与衬底之间的击穿电压；S2，根据S1中所述的测试电压测量栅极氧化层的电容值；S3，根据S2中所述的电容值计算栅极氧化层的积累厚度。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||