发明名称 |
一种基于MEMS继电器的宽幅可调电容 |
摘要 |
本发明涉及一种基于MEMS继电器的宽幅可调电容,该可变电容阵列由电容阵列,MEMS继电器阵列和控制电路组成,多个电容器按并联形式阵列排放,每个电容器都有一个控制其联通和断开的MEMS继电器与其串联,控制电路可以对MEMS继电器阵列进行选通控制,控制电路通过对MEMS继电器阵列中每一个继电器的控制实现对每一个电容的控制,不同的选通方式形成具有电气连接可变化能力的电容阵列,该宽幅可调电容具有体积小、高集成度、低高度、可靠性高的特点,可在需要小体积重量的电路中代替大体积电容器,同时在滤波、抗干扰电路中可以实现电容参数的动态调整。 |
申请公布号 |
CN102176376A |
申请公布日期 |
2011.09.07 |
申请号 |
CN201010624153.5 |
申请日期 |
2010.12.31 |
申请人 |
航天时代电子技术股份有限公司 |
发明人 |
杨斌;苑京立;孙建 |
分类号 |
H01G5/38(2006.01)I;H01G5/40(2006.01)I |
主分类号 |
H01G5/38(2006.01)I |
代理机构 |
中国航天科技专利中心 11009 |
代理人 |
范晓毅 |
主权项 |
一种基于MEMS继电器的宽幅可调电容,其特征在于:包括基板和设置在基板上的电容阵列、MEMS继电器阵列和控制电路,其中电容阵列中的电容之间并联连接,且每个电容与MEMS继电器阵列中的一个控制所述电容联通或断开的继电器串联连接,控制电路通过对MEMS继电器阵列中每一个继电器的控制实现对每一个电容的控制,且控制电路对MEMS继电器阵列不同的选通方式形成具有可变化能力的电容。 |
地址 |
100094 北京市海淀区永丰路航天电子公司 |