发明名称 工艺室的泄漏检测方法
摘要 本发明提供了一种工艺室的泄漏检测方法,其中考虑到部件的状态在进行预防性维护(PM)前后发生明显变化,在预定周期或时间内将在进行PM之后对泄漏有影响的泄漏检测的警报规格、故障规格以及PM规格的范围扩大,直至等离子体稳定为止。因此,可以准确且迅速地判断工艺室内是否发生泄漏并可以检测细微泄漏。
申请公布号 CN101790782B 申请公布日期 2011.09.07
申请号 CN200880007790.9 申请日期 2008.09.11
申请人 塞米西斯科株式会社 发明人 李淳钟;禹奉周;金学权;金泰东
分类号 H01L21/66(2006.01)I 主分类号 H01L21/66(2006.01)I
代理机构 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人 韩明星;马翠平
主权项 一种工艺室的泄漏检测方法,所述泄漏检测方法避免在以预定时间重复地进行预防性维护以使半导体制造工艺期间的工艺室的缺陷因素减少时,部件的状态发生显著变化的情况下,即使未发生泄漏也检测到泄漏的错误,所述泄漏检测方法包括:第一步骤,在进行预防性维护之前的半导体制造工艺期间,设置警报规格、故障规格及预防性维护规格,警报规格、故障规格及预防性维护规格是在任意设置的特征值的基础上扩大至预定范围;第二步骤,基于第一步骤中设置的警报规格、故障规格及预防性维护规格的范围来判断是否发生泄漏;第三步骤,在进行预防性维护后的半导体制造工艺期间,在自动重设的特征值的基础上,将警报规格及故障规格重设至预定范围;第四步骤,基于在第三步骤中设置的警报规格及故障规格的范围判断是否发生泄漏,第一步骤中任意设置的特征值是通过以下方式获得:在半导体制造工艺的系统操作的初始阶段引入的若干取样玻璃的等离子体光发射中搜寻对泄漏有影响的有效波段,并且通过对所述波段中的强度进行积分来计算面积,或计算峰值强度,在通过稳定等离子体来进行半导体制造工艺的系统操作时,通过自动分析引入的若干取样玻璃的等离子体的光发射并对所述光发射进行平均,来获得第三步骤中自动重设的特征值。
地址 韩国京畿道