发明名称 极低压工作的电荷泵电路
摘要 本发明公开了一种极低电压工作的电荷泵电路,包括由第一N型MOS管、第二N型MOS管、第三N型MOS管、第四N型MOS管、第一P型MOS管、第二P型MOS管、第三P型MOS管和第四P型MOS管构成的共源共体的体驱动电流镜,第一运算放大器以及第二运算放大器。其中第二N型MOS管和第四N型MOS管既实现了下拉电流管的功能,又实现了下拉MOS管的功能;第二P型MOS管和第四P型MOS管既实现了上拉电流管的功能,又实现了上拉MOS管的功能;从而实现MOS开关功能与电流镜功能的并联关系。通过两个运算放大器实现增益提高的目的,即使在低电源电压下,也能使共源共体电流镜的输出电阻增加。
申请公布号 CN101710784B 申请公布日期 2011.09.07
申请号 CN200910156955.5 申请日期 2009.12.24
申请人 浙江大学 发明人 周海峰;韩雁;梁筱;杨伟伟
分类号 H02M3/155(2006.01)I 主分类号 H02M3/155(2006.01)I
代理机构 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人 胡红娟
主权项 一种极低压工作的电荷泵电路,其特征在于:包括由第一N型MOS管(N1)、第二N型MOS管(N2)、第三N型MOS管(N3)、第四N型MOS管(N4)、第一P型MOS管(P1)、第二P型MOS管(P2)、第三P型MOS管(P3)和第四P型MOS管(P4)构成的共源共体的体驱动电流镜,第一运算放大器(OP1)以及第二运算放大器(OP2);所述的第一运算放大器(OP1)的正输入端与第一N型MOS管(N1)的源极及第三N型MOS管(N3)的漏极相连,第一运算放大器(OP1)的负输入端与第二N型MOS管(N2)的源极以及第四N型MOS管(N4)的漏极相连,第一运算放大器(OP1)的输出控制第二N型MOS管(N2)的体端;第二N型MOS管(N2)的栅极和第四N型MOS管(N4)的栅极由放电信号(DN)控制;第一N型MOS管(N1)的漏极与第一N型MOS管(N1)的体端、第三N型MOS管(N3)的体端以及第四N型MOS管(N4)的体端相连;第一N型MOS管(N1)的栅极和第三N型MOS管(N3)的栅极与电源(VDD)相连;第一N型MOS管(N1)的隔离端、第二N型MOS管(N2)的隔离端、第三N型MOS管(N3)的隔离端、第四N型MOS管(N4)的隔离端与电源(VDD)相连;第三N型MOS管(N3)的源极和第四N型MOS管(N4)的源极接地;所述的第二运算放大器(OP2)的正输入端与第一P型MOS管(P1)的源极及第三P型MOS管(P3)的漏极相连,第二运算放大器(OP2)的负输入端与第二P型MOS管(P2)的源极及第四P型MOS管(P4)的漏极相连,第二运算放大器(OP2)的输出控制第二P型MOS管(P2)的体端;第一P型MOS管(P1)的漏极与第一P型MOS管(P1)的体端、第三P型MOS管(P3)的体端以及第四P型MOS管(P4)的体端相连;第一P型MOS管(P1)的栅极与第三P型MOS管(P3)的栅极接地;第三P型MOS管(P3)的源极和第四P型MOS管(P4)的源极与电源(VDD)相连;第二P型MOS管(P2)的栅极和第四P型MOS管(P4)的栅极由充电信号(UP)控制;第二N型MOS管(N2)的漏极和第二P型MOS管(P2)的漏极与输出结点(Vout)相连;所述的第一N型MOS管(N1)、第二N型MOS管(N2)、第三N型MOS管(N3)和第四N型MOS管(N4)均采用5端口NMOS管。
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