一种物理空间交错式抗单粒子临近效应的静态存储单元

摘要

本发明公开了一种物理空间交错式抗单粒子临近效应的静态存储单元，包括A存储单元晶体管和B存储单元晶体管，A存储单元晶体管由设置于硅衬底上的A存储单元第一访问晶体管AMG1、A存储单元第二访问晶体管AMG2、A存储单元第一上拉晶体管AMP1、A存储单元第二上拉晶体管AMP2、A存储单元第一下拉晶体管AMN1和A存储单元第二下拉晶体管AMN2构成；B存储单元晶体管还由设置于硅衬底上的B单元第一访问晶体管BMG1、B单元第二访问晶体管BMG2、B单元第一上拉晶体管BMP1、B单元第二上拉晶体管BMP2、B单元第一下拉晶体管BMN1和B单元第二下拉晶体管BMN2构成。采用本发明可有效降低临近效应，从而增大存储单元SEU的临界电荷，提高抗单粒子性能。

主权项

物理空间交错式抗单粒子临近效应的静态存储单元，包括A存储单元晶体管和B存储单元晶体管，其特征在于：A存储单元晶体管由设置于硅衬底上的A存储单元第一访问晶体管AMG1、A存储单元第二访问晶体管AMG2、A存储单元第一上拉晶体管AMP1、A存储单元第二上拉晶体管AMP2、A存储单元第一下拉晶体管AMN1和A存储单元第二下拉晶体管AMN2构成；B存储单元晶体管还由设置于硅衬底上的B单元第一访问晶体管BMG1、B单元第二访问晶体管BMG2、B单元第一上拉晶体管BMP1、B单元第二上拉晶体管BMP2、B单元第一下拉晶体管BMN1和B单元第二下拉晶体管BMN2构成。