| 发明名称 | 高饱和磁通密度低功耗MnZn铁氧体材料 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种高饱和磁通密度低功耗MnZn铁氧体材料，在提高饱和磁通密度Bs的同时，功耗仍然维持在较低的水平。该材料是一种尖晶石多晶结构，以氧化物含量计算的主成份组成包括：Fe2O3为53.5～54.8mol％，MnO为38.5～44.5mol％，ZnO为1.5～7.5mol％；该材料还含有SiO2和CaO作为第一辅助成分，含有Nb2O5、Ta2O5、V2O5、ZrO2、HfO2其中的任意一种或两种组合作为第二辅助成分，含有TiO2、SnO2其中的一种或两种组合作为第三辅助成分，含有CoO作为第四辅助成分。 | ||
| 申请公布号 | CN101552073B | 申请公布日期 | 2011.09.07 |
| 申请号 | CN200810163736.5 | 申请日期 | 2008.12.30 |
| 申请人 | 横店集团东磁股份有限公司 | 发明人 | 颜冲;吕东华;陈文洪;雷国莉;包大新 |
| 分类号 | H01F1/34(2006.01)I;C04B35/26(2006.01)I | 主分类号 | H01F1/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人 | 尉伟敏 |
| 主权项 | 一种高饱和磁通密度低功耗MnZn铁氧体材料，其特征在于：该材料是一种尖晶石多晶结构，以氧化物含量计算的主成份包括：Fe2O3为53.5～54.8mol％；MnO为38.5～44.5mol％；ZnO为1.5～7.5mol％，该材料还含有SiO2和CaO作为第一辅助成分，以主成份为基础，SiO2含量为0.005wt％～0.02wt％，CaO含量为0.01wt％～0.2wt％，且SiO2与CaO的重量百分比为：1∶2～10，该材料还含有Nb2O5、Ta2O5、V2O5、ZrO2、HfO2其中的任意一种或两种组合作为第二辅助成分，以主成份为基础，Nb2O5含量为0.005wt％～0.05wt％，Ta2O5含量为0.005wt％～0.05wt％，V2O5含量为0.005wt％～0.05wt％，ZrO2含量为0.005wt％～0.05wt％，HfO2含量为0.005wt％～0.05wt％，该材料还含有TiO2、SnO2其中的一种或两种组合作为第三辅助成分，以主成份为基础，TiO2含量为0.005wt％～0.25wt％，SnO2含量为0.01wt％～0.5wt％，该材料还含有CoO作为第四辅助成分，以主成份为基础，以CoO计算含量为0.005wt％～0.4wt％。 | ||
| 地址 | 322118 浙江省东阳市横店工业区横店集团东磁股份有限公司 | ||