含钌膜的沉积方法

摘要

本发明涉及具有下式的含钌前体用于在基底上沉积含Ru膜的用途：                       (Rn-chd)Ru(CO)3其中，-(Rn-chd)代表被n个取代基R取代的环己二烯(chd)配体，任何R位于chd配体的任意位置上；-n是包括1至8的整数(1≤n≤8)，并代表chd配体上的取代基数；-当R位于chd配体的8个可用位置的任一个上时，R选自由C1-C4直链或支链烷基、烷基酰胺、醇盐、烷基甲硅烷基酰胺、脒根、羰基和/或氟烷基组成的组，而对于chd环中不包含在双键中的C位置上的取代，R也可以是氧O。

主权项

在基底上沉积含钌膜的方法，包括下列步骤：a)向反应器内提供至少一种基底；b)在所述反应器内加入至少一种具有下式的含钌前体：(Rn‑chd)Ru(CO)3其中，‑(Rn‑chd)代表被n个取代基R取代的一个环己二烯chd配体，任何R位于chd配体的任意位置上；‑n是包括1至8的整数，即1≤n≤8，并代表chd配体上的取代基数；‑R选自由C1‑C4直链或支链烷基组成的组；‑chd配体上未被取代的位置被H原子占据；c)于高于100℃的温度条件沉积所述至少一种含钌前体；d)在所述基底上沉积所述含钌膜。