制造薄膜半导体结构的方法

摘要

本发明公开了制作一种薄膜氮化镓(GaN)基半导体结构的方法。依照本发明的一个实施例，方法包括的步骤：提供一个蓝宝石基板；按顺序形成一个或多个半导体层在蓝宝石基板上；蚀刻一个图案在一个或多个半导体层上；沉积一电介质层；形成一光刻胶在部分电介质层上；其中部分电介质层被沉积在一个或多个半导体层上；沉积一个底涂料；去除光刻胶层，其中在光刻胶上的底涂料也被去除；沉积一种超硬材料，其中超硬材料形成在图案上；去除蓝宝石基板。所以，超硬材料可被有选择性沉积在期望有超硬材料的区域。然后，垂直结构GaN基发光装置可以通过切割半导体结构而形成。

主权项

一种制作一个薄膜氮化镓(GaN)基半导体结构的方法，此方法包括：提供一个蓝宝石基板；在蓝宝石基板上顺序地形成一个或多个半导体层；在一个或多个半导体层上蚀刻出一个图案；沉积一电介质层；形成一光刻胶在部分电介质层上，其中部分电介质层被沉积在一个或多个半导体层上；沉积一底涂料；去除光刻胶层，其中在光刻胶上的底涂料也被去除；沉积一超硬材料，其中超硬材料形成在图案上；和去除蓝宝石基板。