| 发明名称 | 基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 | ||
| 摘要 | 一种基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将硅衬底进行氢气刻蚀处理；步骤2：通入三甲基铝，进行硅衬底表面铺铝；步骤3：不关断三甲基铝源，通入氨气，进行氮化铝缓冲层生长；步骤4：缓冲层生长结束后，关闭氨气和三甲基铝，在氢气环境中降温至室温，关闭氢气，对生长系统抽真空；步骤5：在氢气环境下升温，通入硅烷和乙烯，进行碳化硅层外延生长，完成异质外延生长。 | ||
| 申请公布号 | CN101281862B | 申请公布日期 | 2011.09.07 |
| 申请号 | CN200710065183.5 | 申请日期 | 2007.04.05 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 赵永梅;孙国胜;刘兴昉;李家业;王雷;赵万顺;李晋闽;曾一平 |
| 分类号 | H01L21/04(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/365(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种基于氮化铝缓冲层的硅基3C‑碳化硅异质外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将硅衬底在氢气环境中升温进行氢气刻蚀处理；步骤2：通入三甲基铝，进行硅衬底表面铺铝；步骤3：不关断三甲基铝源，通入氨气，进行氮化铝缓冲层生长；步骤4：缓冲层生长结束后，关闭氨气和三甲基铝，在氢气环境中降温至室温，关闭氢气，对生长系统抽真空；步骤5：在氢气环境下升温，通入硅烷和乙烯，进行碳化硅层外延生长，完成异质外延生长。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||