| 主权项 |
一种记忆体模组规格转换检测装置，其包括：一插座，其顶端设有插槽，系与一记忆体模组之电极端子接合，使该电极端子与该插座底端设有之第一公插接结构电性连接；一第一电路模组，系设有第一母插接结构，系与该第一公插接结构相互连接，而该第一电路模组之底面系设有第二公插接结构；以及一第二电路模组，系设置于该第一电路模组之下方，该第二电路模组设有第二母插接结构，系与该第二公插接结构相互连接，而该第二电路模组之底面系设有第三公插接结构。如申请专利范围第1项所述之记忆体模组规格转换检测装置，其中，该第二电路模组之第二母插接结构系包含第一连接区及第二连接区，该第一连接区系设于该第二电路模组中央，而该第二连接区系为该第一连接区之延伸，以供弹性调整与该第二公插接结构之连接位置。如申请专利范围第1项所述之记忆体模组规格转换检测装置，其中，该第一电路模组与该第二电路模组之间设有支撑结构。如申请专利范围第1项所述之记忆体模组规格转换检测装置，其中，该第二公插接结构系进一步设有定位部，俾利于连接固定。如申请专利范围第1项所述之记忆体模组规格转换检测装置，其中，该第一电路模组系进一步结合有握持件，俾利于施力。如申请专利范围第1项所述之记忆体模组规格转换检测装置，其中，该记忆体模组规格转换检测装置系进一步结合有一转接保护体，该转接保护体设有第三母插接结构，该第三母插接结构系与该第一公插接结构相互连接，而该转接保护体底端设有第四公插接结构，该第四公插接结构系与该第一母插接结构相互连接。如申请专利范围第6项所述之记忆体模组规格转换检测装置，其中，该转接保护体系开设有中空槽，而该第三母插接结构及该第四公插接结构系设置于该中空槽之周缘处。 |
